[案例实践]CST MWS计算箱体屏蔽效能的问题

还是箱体屏蔽效能的问题 *=($r%)  
想计算腔体的屏蔽效能，模型建好，高斯脉冲作为平面波激励，在腔体内部中心位置和腔体外3米处均设置探针，监测的电压波形与坛内去年讨论屏蔽效能的帖子的计算结果一致。 pP?<[ql[w  
h<PYE]?l  
原帖名称 ?q
+8 /2  
1，计算了一个机箱的屏蔽效能，和文献对比有差距 [{hLF9yPx  
2，用CST MWS怎样得到箱体屏蔽曲线？ NTXws4'D  
% <8K^|w  
现在问题是，如何利用已经得到的腔体内外场强，计算得出SE？ [d!Af4  
以前lantianyi 也说过计算方法——“可以外面设置一个探针，箱子里设置一个探针，然后傅立叶变换减一下～” 'e+-,CGdY\  
VZUZngw  
CST里面怎么进行傅氏变 .. rU/-Wq`B  
c@0l-R{q  

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Template based postprocessing

谢谢hefang，偶试试

用Template based postprocessing 得到了如下波形： ; yC`5  
?J1&,'&  
c;fyUi  
]0nC;|]@Lx  
但理论上应该得到的波形，也是我想我要的波形是这样： o]k]pNO  
$+yQ48Wq  
vVRCM  
mCP +7q7  
怎么样才能得到后图所示的波形呢？ UEb'E;  

这是模型 DN_C7\CoA  
脉冲个数设置为2000，仿真时间很短，设置为200，又还可以了，难道脉冲个数与时间不成正比？

设置成2000和200对于你这个模型应该是没啥影响吧。 <5%We(3  
Viw3 /K  
你这个仿真趋势已经出来了，在700MHz附近的谐振也很明显了，也就是说，你的方法都是正确的！ Z%R^;8!~  
=UY@,*q:c  
问题就是这么多的抖动，这个可以通过延长仿真时间和使用滤波来实现。你这里增大脉冲数的同时，还要看1D Result里的energy是否降下来了，加入200个脉冲就已经到了-30dB/-40dB，那么你增大到2000也没用。。。 S{6u\Vy  
Ok!{2$P8U9  
MWS在这个问题上效果不如MS，不过MWS从时域上更好理解。

谢谢斑竹还有管理员，呵呵 ![ Fb~Egc  
TN(1oJ:  
“延长仿真时间和使用滤波”，怎么设置呢？ xoPpu  
$:SHZe  
还有我记得你说过仿真计算SE的时候，可以不让屏蔽箱体参加仿真，但要参加网格划分，怎么设置呢？ }VdohX-  
问题有点多哎，我在耐心等， (J5E]NV  
:+; UW \  
模型重新上传下。

引用第6楼ox2011于2011-09-29 02:20发表的 : 03a<Cd/S  
谢谢斑竹还有管理员，呵呵
“延长仿真时间和使用滤波”，怎么设置呢？
还有我记得你说过仿真计算SE的时候，可以不让屏蔽箱体参加仿真，但要参加网格划分，怎么设置呢？ 2t`d.s=  
....... #lO~n.+P  

)(l=_[1Z5  
,nz3S5~  
首先声明我没有接触过平面波激励，没用过探针，只尝试过一次自动回归滤波器，所以以下的讨论我并不比大家多知道多少。 6:qh%ZR  
peGh-  

---

:x36Z4:  
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MUC  
先看原始的模型文件，一个开槽空腔体，仿真频率0-1.6 GHz， `E-cf7%  

图片:Model.JPG

0M5m8  
dn:/8~B"X  
平面波激励设置，不懂参数意义，照抄： : 5<u!-}  

图片:Plane Wave.JPG

Q'Vejz/  
5FwVR3,  
边界使用Open，设置了对称面，背景材料扩充100单位： _A,mY6*  

图片:Boundary.JPG

M3c  
b0 y*}  
设置了两个探针，Z值为150的在腔体里面，Z值为450的在腔体外面： |J^$3RX  

图片:Probes.JPG

QW_W5|_  
SX@zDuM  
全局网格设置使用默认值10, 10, 10，瞬态求解器的Accuracy使用-40 dB，仿真得到的探针的电场值： )A:|8m  
腔体内： 5yQ\s[;o3  

图片:E-Field_150.JPG

  y rmi:=N(  
]%Z7wF</  
腔体外： 9\KMU@Ne  

图片:E-Field_450.JPG

=
JfSg'7  
zoHFTD4 g  
屏蔽效能： q,*([yX  

图片:Shielding Effectiveness.JPG

v7G&`4~  
j2Uu8.8d  
可以看到曲线有很明显的波纹，原因就是因为腔体自身的谐振，这一点从腔体内的电场曲线就可以证明。查看Probe监测到的信号，腔体外的电场15纳秒之后基本上已经消失到非常小的值，而腔体内的电场在反复地震荡： _e94  

图片:Probe_Signal.JPG

x`VA3nE9  
qfsu# R  
查看能量消逝曲线，电磁场能量在12纳秒之后缓慢消逝到-40 dB，这个数值有印象吧，就是Transient Solver里设置的Accuracy值。Steady State Monitor监测到这个值之后终止求解器： nv_9Llh=z  

图片:Energy.JPG

L5A?9zum/!  
ioJr2wq6  
回头看5楼的说明，这个仿真终止运行的条件是因为达到了Steady State Monitor设定的-40 dB阀值，因此不管Transient Solver -> Specials... -> Steady State -> Maximum Solver Duration里面的Number of Pulses设置为200或者是2000都不影响终止条件。按照这个仿真设置，求解器在150纳秒就会终止，不会一直等到500纳秒（200个Pulses）或者5毫秒（2000个Pulses）。 *1CZRfWI  
vDcYz,  
R>dd#`r"  

---

Vc$y^|=  
^=7XA894  
好，先来看如何延长仿真时间。从上面的Energy曲线就可以知道，要延长仿真时间，首先要设置更低的Accuracy值（-50 dB、-60 dB……等等）。另外还需要最大脉冲数目与之对应，脉冲数少了，没到Accuracy值求解器就停了；Accuracy高了，还有“很多”残余能量求解器也停了。因此这两个参数互相搭配互相影响，共同控制仿真时间。 !TeI Jm/l  
L2\NTNY  
按照个人习惯，先稍微修改一下模型：把金属改为copper，边界改为Open add space，取消surrounding space，频率设置为0-1 GHz，Transient Solver Accuracy设置为-80 dB。设置不同的Number of Pulses，得到的Shielding Effectiveness： K5EU?J&  
CCU<t Q  

上面讨论的是如何延长仿真时间以减少腔体内残存的电磁场能量值，不过，这是以更多的仿真资源为代价的。对于强谐振结构，在时域求解的时候建议使用AR滤波器。接下来就讨论一下在这个模型使用AR滤波器的可行性。（5楼所说的“使用滤波”） K9ia|2f  
EHq;eF  
因为模型使用平面波激励，因此"AR-Filter for Port Signal"不可用，取而代之的是"AR-Filter for Probe Signal"。在使用AR滤波器之前，先将仿真频率设置为0.6-0.8 GHz。 e'uC:O.u  
]*=!lfrV  
注：AR滤波器强调仿真频率要尽量窄，要避免包括直流零频，参考CST MWS帮助文件《AR-Filter Overview》。在这个模型中，如果仿真频率包括0，AR-Filter无法运行。 MUbKlX  
O\f`+Q`0  
曲线非常接近，不过通过场能量消逝需要计算11533纳秒的时域长度，工作站耗时4415秒；通过AR滤波器只需要计算25-35纳秒的时域长度，推算工作站耗时应该在48-67秒之间。 k}:;`ST  

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收兵回营！ &ic
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H<!q@E ;  

自从我换了单位，就不能再用好机器仿真了。。。但是看到这些图，不禁很怀念以前那种可以肆无忌惮的用工作站仿真的日子。。。 GQ?FUFuIoW  
y|BHSc3  
现在只能纸上谈兵了，呵呵～