關於EBG結構反射相位頻帶與帶隙頻態範圍重疊問題

最近在用HFSS模擬EBG結構的帶隙 zCI.^^<?  
V*H7m'za  
我利用兩種方法來找出EBG的帶隙頻帶範圍 UYvdzCUh  
I T gzD"d  
第一個方法是利用週期性邊界加上完美匹配層然後垂直入射平面波模擬EBG的 5m9;'SF  
(gjCm0#_%  
反射相位(Reflection Phase) @f`s%o  
?v}S9z  
第二個方法是利用懸浮微帶線法來模擬EBG的帶隙頻帶(S21) PXo^SHJ+gt  
`P?!2\/  
也就是在EBG上放一條微帶線直接觀察帶隙頻帶範圍 UX@8  
ASULg{  
我的問題就是大部分EBG的文獻都指出EBG反射相位 !]l;n Fd  

UqNUP+K  
的有效頻帶是位於正負九十度之內 oL -udH  
F`M`c%  
而且不管是利用懸浮微帶線法或是單極天線法來測量EBG的帶隙頻帶範圍 k`NXYf:  
g [c^7  
一定會與EBG反射相位正負九十度內的有效頻帶重疊 J8?V1Ad{  
5~{s-Ms  
也就是假設我模擬反射相位為0度的共振頻率點為2.33GHz,正負九十度的頻率點分別為1.33GHz及3.3G a}V
<CBi  
U~O*9  
Hz,帶隙掉的最深的頻率點會很接近2.33GHz,在-20dB以下的帶隙邊界也會接近1.33GHz及3.33GHz DMiB \o  
/kNS
B;  
但是我模擬EBG的帶隙掉最深的頻率點卻是出現在2.8GHz左右,-20dB帶隙邊界分別為2.77GHz及2.84 Nbd[xs-lw  
h=ben&m  
GHz,請問這是為什麼呢? Y%Tm `$^V  
XU6SYC"t%~  
我之前有想過我用週期性邊界模擬EBG結構的反射相位是以趨近於無窮大陣列的方式在模擬 DT3koci(  
'pC51}[A{^  
但是我用懸浮微帶線法是只有用11 x 11的數量在測量帶隙頻帶範圍 "Zu>cbE  
Oj#/R?%,X  
我想是不是因為數量不夠多才可能會發生這種情況 9F2MCqvcm  
,
d7o/8u  
如果當數量越來越大時,所測量出的帶隙頻寬是否就會越來越大或者中心頻率會開始往低頻飄 xbD]EC  
O
7z5,-  
然後就會很接近反射相位所模擬出的有效頻帶了 BjV;/<bt  
+%?\#EQJ  
想請問這位前輩會發現這種現象的原因可能會有哪些? A@)ou0[n@  
FZx.Yuv  
那有什麼解決的辦法呢? lX/:e=  
e,Sxu[2  
希望前輩們給我ㄧ些建議 X.[8L^ldh  
ub]"b[j\1  
謝謝 < .. )M_|r2dDq3  
oD=+  

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不同的带隙测试方法得到的频带范围是不一样的， cFr`9A\-n  
当然，不同的测试方法的应用范围也是不一样的， wicW9^ik  
]nq/yAF%  
悬置微带方法好像是清华大学提出的（记不太清楚了），这种方法对于表面传输形式的很有用， ^xQPj6P}  
正负90°方法很多文献都是这样用的，记得好像也有文献介绍为啥选用正负90，而非正负45°之类的。 LvNulMEK  
$ EexNz  
但总体来讲，一般的公认PBG带隙最好的方法也就是正负90°了

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