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SST27SF010单片机解密技术及特性分析
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SST27SF010单片机解密技术及特性分析
离线
icinf2012
http://www.icinf.com
UID :106629
注册:
2013-04-12
登录:
2014-12-03
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4
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旁观者
0楼
发表于: 2014-11-26 16:11:19
我司最早对SST27全系列进行专门的技术攻关研究,且最早在业内突破一系列典型高
难度IC解密
技术,目前,针对多款典型的SST27系列单片机,我司已经有成熟可靠的解密方案,可以为客户提供高效低价的优质解密服务。下文提供SST27SF010单片机解密实例的片内特性技术分析,供广大客户及各类技术工程师在芯片解密项目合作中进行技术参考和借鉴。(更多详情请搜索:深圳世纪芯科技有限公司)
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SST27SF010概述
ZNHlq5
SST27SF010 是一个128K X8的MTP低成本闪存,由SST公司的专利,高性能的CMOSSuperFlash技术制造。分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器与其它方法相比达到更好的可靠性和可制造性。这些MTP设备可电擦除和编程至少1000次,使用一个12伏电源供电的外部编程器。它们在编程之前必须被擦除。这些器件符合JEDEC标准引脚为字节宽的存储器。
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SST27SF010特性
H ~VeY\:w
·组织结构为128K X8
^k*h
·4.5-5.5V读操作
<5 ?
·卓越的可靠性
_Se0,Uns
- 耐力:至少1000次
jDWmI%Y.
- 大于100年数据保存期
4qsP/`8
·低功耗
W@bZ~Q9
- 工作电流:20 mA(典型值)
yi29+T7j4S
- 待机电流:10μA(典型值)
] I&l0Fx
·快速读取访问时间
!R`E+G@
- 70纳秒
3xhGmD\SKO
- 90纳秒
O`M6=\
·快速字节编程操作
G!G]*p5
- 字节编程时间:20μs(典型值)
uK6'TJ
- 芯片编程时间:2.8秒(典型值)
Y8 % bk2
·电擦除编程
(aeS+d x
- 不需要紫外光源
h4 X=d5qd
- 芯片擦除时间:100毫秒(典型值)
k_o$ Ci
·TTL I / O兼容性
fTq/9=Rq4
·JEDEC标准的字节宽度的EPROM引脚
AGWs>
·封装可供选择
vtA%^~0
- 32引脚PLCC
%X5p\VS\7
- 32引脚TSOP(8mm x 14mm)
/h(bMb Z
- 32引脚PDIP
ZC99/NWN
在芯片解密技术研究中,我司长期专注高难度
IC解密
研究、DSP芯片解密研究、CPLD芯片解密研究、FPGA芯片解密研究等领域。目前,我们在SST系列单片机解密、STC系列单片机解密、ST系列芯片解密、NEC系列单片机解密等四十余个 ..
iImy"$yX{
L?Fb}
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