登 录
註 冊
论坛
微波仿真网
注册
登录论坛可查看更多信息
微波仿真论坛
>
ANSYS 电磁仿真专区
>
其它软件
>
SST27SF010单片机解密技术及特性分析
发帖
回复
2063
阅读
0
回复
[else]
SST27SF010单片机解密技术及特性分析
离线
icinf2012
http://www.icinf.com
UID :106629
注册:
2013-04-12
登录:
2014-12-03
发帖:
4
等级:
旁观者
0楼
发表于: 2014-11-26 16:11:19
我司最早对SST27全系列进行专门的技术攻关研究,且最早在业内突破一系列典型高
难度IC解密
技术,目前,针对多款典型的SST27系列单片机,我司已经有成熟可靠的解密方案,可以为客户提供高效低价的优质解密服务。下文提供SST27SF010单片机解密实例的片内特性技术分析,供广大客户及各类技术工程师在芯片解密项目合作中进行技术参考和借鉴。(更多详情请搜索:深圳世纪芯科技有限公司)
`-J$7)d@
SST27SF010概述
NF0=t}e
SST27SF010 是一个128K X8的MTP低成本闪存,由SST公司的专利,高性能的CMOSSuperFlash技术制造。分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器与其它方法相比达到更好的可靠性和可制造性。这些MTP设备可电擦除和编程至少1000次,使用一个12伏电源供电的外部编程器。它们在编程之前必须被擦除。这些器件符合JEDEC标准引脚为字节宽的存储器。
7F;dLd'
SST27SF010特性
\GFFPCi4D
·组织结构为128K X8
'cpO"d?{
·4.5-5.5V读操作
@'ln)RT,
·卓越的可靠性
qVidubsW
- 耐力:至少1000次
~dm/U7B:
- 大于100年数据保存期
jlA?JB
·低功耗
?vd_8C2B
- 工作电流:20 mA(典型值)
[Up0<`Q{I_
- 待机电流:10μA(典型值)
@8jc|X<A
·快速读取访问时间
uh8+Y%V p
- 70纳秒
iL ](w3EM
- 90纳秒
e]qbh_A
·快速字节编程操作
s&