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tsv硅通孔建模与S参数问题
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tsv硅通孔建模与S参数问题
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sjr_su
UID :111255
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0楼
发表于: 2013-11-05 10:55:45
此悬赏帖已过期
最佳答案:8 rf币
,热心助人剩余点数: 1 rf币。
我用CST建模分析tsv间的耦合噪声,建模及S21 参数如下,端口1输入为方波型号,上升时间0.004ns,端口2为另一个tsv的耦合噪声,频率为0-10GHz,时域求解器进行求解,得到的S21参数总是在5GHz,10Ghz处有很大跳变,其他地方有小跳变,无论如何更改tsv尺寸等参数S21参数均如此,边界条件为最底下Et=0,其他为电导率1000S/m的conductive wall。.哪位高人给指点一下?是怎么回事呢?模型哪里有问题呢?[attachment=6 ..
>4kQ9lXL
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sjr_su
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1楼
发表于: 2013-11-05 10:56:46
自己先顶一下
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sjr_su
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2楼
发表于: 2013-11-05 10:58:14
等高人ing
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