[实践应用]《印制板上单线三米法辐射场的精确仿真》实践

[attachment=57711]按照教材的步骤演练了如题所示的例子，现将一些结果分享给大家。 fbWFLSm;  
【仿真模型】 fGw^:
,B  
在3000mil（长）×1500mil（宽）的GND平面上方6.2mil高度处，有一2000mil（长）×6mil（宽）的Trace， B;R.#^@/  
考察该Trace处在参考平面GND不同位置时的3m场辐射结果，30M~1G频段。 BYO"u6  
——Trace距离GND边缘3W `Ja?fI'H-  
——Trace距离GND边缘100W /CuXa%Ci^  

描述:model

图片:model.JPG

T21ky>8E  
( {1e%  
【材料设置】 &FH2fMLQ  
GND 平面的设置 9R;/*$  

描述:GND

图片:GND.JPG

*<E]E?  
Zq,9&y~  
（1）走线处在参考平面边缘——距离参考平面边缘3倍线宽 o;W`4S^  

描述:Trace_edge

图片:Trace_edge.JPG

\Y|~2Ls8tu  
b !%hH  
（2）走线处在参考平面中心 .. S
-7'it!1  
ME;n^y\8  

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【仿真结果】 yPu4T6Vv  
-Trace处在参考平面边缘时的3m场RE结果 t~M $%)h  

描述:RE_3m_edge

图片:3m_edge.JPG

u>.y:>  

--Trace处在参考平面中心时的3m场RE结果 @OBHAoz%/  

描述:RE_3m_center

图片:3m_Center.JPG

?L8&(&1@VD  
$:PF9pY(  
【结果对比】 ./';P<)  
（1）与处在参考平面中心相比，边缘走线在30M~1G频段内会有更严重的辐射，差别达10dB IsWcz+1n  
（2）辐射发射峰值频点，在边缘走线时较低，因此风险就越大。 Q*,6X*W!~  

描述:Versus

图片:Vs.JPG

o- cj&Cv%  

图片:delta.JPG

<8g *O2  
0I(uddG3  
That's all.

问下楼主 你这个激励源是什么啊？谢谢！你这是按照哪本教材建的啊？

目测激励源应该是离散端口中的S-parameter P- `~]]  

loloxy:问下楼主 你这个激励源是什么啊？谢谢！你这是按照哪本教材建的啊？ (2013-04-28 09:24)  uF3p1by  

zl#&Qm4Ot  
@hawk8969大师说的没错，就是离散端口的S 参数激励源。 sV'.Bomq  
$9_.Q/9>  
教材是CST官方出版的丛书15，《CST电磁兼容算例汇编》，这个是算例4. POg0=32  
,/b/O4`;y  
题目是《印制板上单线三米法辐射场的精确仿真》. !zkEh9G  
^R'!\m|FR  

patrioter:@hawk8969大师说的没错，就是离散端口的S 参数激励源。
教材是CST官方出版的丛书15，《CST电磁兼容算例汇编》，这个是算例4.
....... (2013-04-28 13:07)  $K fk
=@  

R.`J"J0/~  
好，谢谢！

走线没有厚度？