[建模]CST MWS左手材料~谐振环的问题

我对单个的谐振环进行仿真，应该怎么设置边界条件和背景材料，激励端口。 WfT)CIKs  
听到很多人说用PEC+PMC边界条件，  这是什么边界。 W$Q)aA7  
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图片:QQ截图20130330085026.jpg

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还有就是对使用开环谐振环的波导滤波器，我仿真出来的带外抑制一点也不陡峭，然后去掉谐振环再仿真，还是一样的， R5&$h$[/  
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上面的是资料，下面是我的模型和仿真结果 g;#KB
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使用的边界条件是open add& .. AK s39U'  
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A 2% Bandwidth C-Band Filter Using Cascaded Split Ring Resonators.pdf (379 K) 下载次数:34   附带原图的资料

对于左手材料单元的仿真，PML  PEC边界设置要根据你的入射场方向确定，上传一篇文章估计本论坛已经有的，，里面有一些说明，，你看看可以答案

那篇文章太大 传不了，，给你下载地址，，题目是富有希望的超材料http://rf.eefocus.com/bbs/article_407_541581.html

一般来说左手材料都是由一系列周期性基本单元构成，单仿真一个基本单元貌似不行。就像要D.R.Smith实现左手材料的微波段的负折射率特性也是使用一系列的周期性谐振环和金属线组合的。建议你边界条件XY方向使用unit cell，Z方向open。使用频域求解器试试。

谢谢，但是我照你提供的边界条件仿真之后 %Uf'+!4l`  
显示错误：the floquet port boundary at Zmin is not homogeneously filled or contains dispersive materials. RtwUb(wn6  
the floquet port boundary at Zmax is not homogeneously filled or contains dispersive materials. ?.Q3 pUT  
有没有一个完整的谐振环的仿真文件，想参考一下，我做一个带谐振环的平面波导滤波器，弄了就久，只有滤波器的滤波效果，谐振环的陡峭的带外抑制一直没看见

你在background material 把类型设置为normal，lower Z distance和upper Z distance 分别设置适当的数值就行了。 N
571s  

改过了，还是没用，用open add 倒是可以仿真，但是和文献的上结果有很大差距

把你的模型共享下。 Ct!S T
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模型 新建文件夹.zip (34 K) 下载次数:44 8x{
Hg9  
这个是所做的两个模型，原文献在一楼