登 录
註 冊
论坛
微波仿真网
注册
登录论坛可查看更多信息
微波仿真论坛
>
Passive Device 无源器件区
>
无源交流
>
这样的校准有用么?
发帖
回复
1394
阅读
2
回复
[
互助
]
这样的校准有用么?
离线
fanghong58
UID :75270
注册:
2011-04-08
登录:
2014-12-24
发帖:
11
等级:
仿真新人
0楼
发表于: 2013-03-16 16:43:36
让我先描述一下情况:
8`e75%f:2
我们要测一个
LTCC
片上电感的电感值,准备利用校准片,将探针针尖以前的所有系统误差都校准掉。(按照下面的理论)
描述:请输入描述
图片:image002.jpg
Z x9oj
我们在片上制作
TRL
校准件,将
reference plane
校准到
Thru
的中心,然后对
DUT
(也就是电感)进行测试。
DUT
的
Pad
和前一段的引线(电感图中蓝色圈住的部分)和
TRL
校准件的
PAD
和
Thru
的半长度引线是完全一样的,因此校准后测到
S
参数完全是电感的
S
参数,并且端口处的特征阻抗与
TRL Thru
的特征阻抗值是一样的。
描述:请输入描述
图片:image004.jpg
描述:请输入描述
图片:image006.gif
2&st/y(hs
问题:
1
已经得到
DUT
的
S
参数,如何转换为
Y/Z
矩阵呢?是不是需要知道端口处的特征阻抗。如果端口处的特征阻抗不是
50
欧,甚至不知道是多少欧?如果不知道怎么能把
S
参数转换为
Y
矩阵呢?因为我们校准后得到的
S
参数是以
PAD
或者其他引线结构为端口的,这个端口阻抗我们是不知道的。
pBW|d\8
#/u% sX`#y
2
在整个测试系统中,电缆到探针,探针到
PAD
,可能都有特征阻抗的失配,因此引起插损。但是是不是我们用
TRL
将
reference
面推到片上
Thru
结构的中间位置,然后校准后,
reference
面之前的所有阻抗失配,以及其他的非理想效应都统统被校准掉了?测得的
S[f ..
Z83A1`!.|
NdpcfZq
未注册仅能浏览
部分内容
,查看
全部内容及附件
请先
登录
或
注册
共
条评分
离线
fanghong58
UID :75270
注册:
2011-04-08
登录:
2014-12-24
发帖:
11
等级:
仿真新人
1楼
发表于: 2013-04-03 16:56:53
居然没有人。。自顶!
共
条评分
离线
mangfu
UID :110272
注册:
2013-07-31
登录:
2015-04-29
发帖:
13
等级:
仿真新人
2楼
发表于: 2013-07-31 21:00:22
S参数转换为Y/Z参数,可以在ADS中完成,也可以自己计算。特征阻抗Z0是50欧姆,这个50欧姆应该和你的器件无关,是与测试仪器相关的。
D.G+*h@ g
Lx&2)
|1`|E-S=
我觉得你应该做一个OPEN和SHORT结构,把PAD和引线的影响去除掉
共
条评分
发帖
回复