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请问用ADS2011仿真CPWG结构的特征阻抗,T的影 ..
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请问用ADS2011仿真CPWG结构的特征阻抗,T的影响?
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wxlc
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0楼
发表于: 2012-07-18 11:51:10
初次接触电磁仿真,看了一些基本理论,最近在学习ADS2011,在layout中cond层画出CPWG的结构,在substrate中,cond设置在strip plane,operation为sheet,material为perfect conductor(不考虑电阻率对Z0的影响),发现改变thickness数值,对仿真出的Z0没有影响,这个让我很疑惑。理论分析,金属层厚度变化对传输线之间的电容产生影响,从而对特征阻抗产生影响,可是在仿真中完全没有表达出来。
}Jkz0 JY~
在EMsetup中,我选用的simulator是momentum microwave,难道要选用FEM才能识别出厚度变化带来的影响?当然在FEM中,cond就不能定义为sheet,而是intrude into substrate或是expend the substrate,关键用FEM仿真要设置options中的substrate,这个让我完全搞不懂,不知定义多大的数值合适。。。求助高手们,有什么建议来解决我的困扰啊?
'&4W@lvyz
我不想用linecalc来计算Z0,因为sub是很多层,每层介电常数都不同,觉得用它来计算可能误差大一些。。。
:/'2@M
吐槽一下,ADS2011中port的定义,type种类大大缩水,可能是我刚接触,没有找到正确的入口去定义它。在CPWCPL2这种结构中,都不知道该 ..
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wxlc
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1楼
发表于: 2012-07-18 18:57:26
为什么没有人回答呢?help。。。
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wxlc
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2楼
发表于: 2012-07-19 15:19:01
今天再看我提的问题,觉得弱爆了。。。还是用FEM仿真,mesh好好调调,substrate的outline设置的大小差不多就行,不过我设置的是lateral是0,boundary是电壁,port面定义小于两边的地线的边界就行了。。。
qU ESN!
这问题太弱了,高手都懒得回答了,只好变成自问自答了。。。
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