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一维反射系数和步数有关系吗?
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一维反射系数和步数有关系吗?
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myp841025
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0楼
发表于: 2011-11-29 11:18:02
我做的一维反射系数,公式用的是
Reflection coefficient
(
t
)
=
FFT
(
Reflection field
(
t
))
/FFT
(
Incident field
(
t
)),
.~db4d]
其中
Reflection field
(
t
)
=
Total field
(
t
)
- Incident field
(
t
)
。
;LfXi 8)
[color= ..
T.F!+
}v;V=%N+v
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wbzhou
做做算法还是有点意思!
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1楼
发表于: 2011-11-30 19:30:59
你看看时域的波形是否已经收敛了嘛。
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做算法的该何去何从?
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simwave
噫!微斯人,吾谁与归?
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2楼
发表于: 2011-12-01 03:25:56
(1)好象你公式的最前面忘了写FFT。
U/M>?G~
q i;1L Kc
(2)另外我个人的经验是FFT(Fast Fourier Transform)在FDTD的计算中是不精确的。
RB\uK 1+
我是使用 DFT。 就是按照Fourier Transform的严格定义来一个频率点一个频率点的计算。
>:!5*E5?
3}1u\(Mf
(3)还有我以前也考察过在不同时间范围内(貌似都收敛后), S参数的提取。的确出现过你发现的情况。此情况和边界条件以及网格设置等有很大的关系。尤其边界吸收的效果不好,对结果影响很大。
y^*~B(T{
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myp841025
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3楼
发表于: 2011-12-01 10:23:17
首先非常感谢你的解答。可是据我查阅的资料,FFT是比DFT更优越的算法,(结果差不多,时间却更短)。所以我觉得这个应该不是问题的关键。
kevrsV]/$
你(3)提到你也曾遇到这样的问题,那应该说明这种问题的确是存在的。我做的是一维空间问题,所以用的吸收边界条件是
4VSU8tK|N]
\8cx6 G'
%设置吸收边界条件
KpGhQdR#
ex(1)=Ex_low_m2;
2ilQXy
Ex_low_m2=Ex_low_m1;
~0$&3a<n1
Ex_low_m1=ex(2);
CTa57R
ex(n)=Ex_high_m2;
9A=,E&
Ex_high_m2=Ex_high_m1;
GVn!O1jio
Ex_high_m1=ex(n-1);
X"Swi&4
这种吸收效果是不是不好啊?你后来是怎样解决的呢?
n>YKa)|W`
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simwave
噫!微斯人,吾谁与归?
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4楼
发表于: 2011-12-02 09:01:24
(回3楼)
l/5 hp.
我没看懂你的边界条件。似乎就是简单的外部场和内部场的对应。看不出来其中的变化系数。所以不敢确定是否是良好吸收的边界条件。
C U0YIL
`a/`,N
我是通过改进边界条件最后得到了稳定解
_[BP0\dPW
Pm7}"D'/
对FDTD计算结果的频谱分析,FFT是否比DFT好, 我想我们要用实际程序来检验。我认为FFT效果不如DFT的原因是:由于FDTD时间步长比较小。 FFT的截止频率就很大。(时间取样点总数和频率取样点总数相同),那么FFT频率步长就相应比较大。 如果时间取样点总数比较小。那么得到的FFT结果在感兴趣的频率段内由于取样频率步长比较大。就会显得不是很光滑。 另外如果是用的Matlab内部FFT函数。要看看此函数是否是采用了快速FT算法。频率取样是如何定义的? 我以前的印象是Matlab的FFT用的是DFT算法(但是对此我错的可能性也比较大,(please correct me if you figure it out)
tw@X> G1z
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myp841025
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5楼
发表于: 2011-12-02 16:23:28
我今天又试了一下,应该是介质层的那一侧吸收边界不能完全吸收的问题,和FFT或者DFT没有关系。
j>kqz>3
我改成了pml吸收边界,结果还是不够理想,能把你当时改善过的吸收边界方法讲解一下吗?因为介质中的吸收边界貌似和真空中的吸收边界条件不太一样,需要改一下参数
`]aeI'[}R
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simwave
噫!微斯人,吾谁与归?
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6楼
发表于: 2011-12-02 23:40:16
(回5楼)
OrW
材料和PML接触时,是要延伸到PML内的。如果仅仅是常数介质材料,PML方程中引入材料特性也很容易的: PML的Maxwell's Eqaution中包含两个材料特性,一个是PML本身的材料,一个是结构中用的材料。
Rb;'O89Hj@
F"kAkX>3}
FDTD模拟四个要素:FDTD算法,入射波算法,边界条件, 数据后处理。
r_d!ikOT(
在确保边界条件工作良好后。 还要检查其他设置是否正确。
8EYkQ
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