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弱问关于1维纳米线阵列的边界条件
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弱问关于1维纳米线阵列的边界条件
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jangtc2002
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2011-09-08
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2011-09-15
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0楼
发表于: 2011-09-08 04:58:47
小弟是FDTD方面的新手,目前在用Lumerical研究纳米线的反射和穿透性。我选择的是平面波,E矢量垂直于纳米线。在选择FDTD的边界条件时该如何处理呢?
w<#!h6Y=
kmW4:EA%
s<Ziegmw|g
| | | | (此为纳米线排列方式)
vaLSH xi
<--E-->
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]Um/FA W
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Hs8>anVo[
#"!<W0
(=0.in Z
我尝试了x方向为反对称,y方向为对称的边界,但是计算出的穿透率大于1。不知是 ..
XSR 4iu
V0@=^Bls
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peijun
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旁观者
1楼
发表于: 2011-09-09 16:26:30
我去年计算过纳米线阵列的光吸收特性。反射透射都没问题。你是否设置的date monitor位置不对?反正怎么都不可能大于1的
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