[互助]关于如何提高输出功率的最佳负载阻抗的确定

对于很多功率MOS管， 1`LXz3uBe  
1）若有非线性模型的话最好，通过loadpull仿真，可得到获得最大输出功率时的最佳负载阻抗。但是没有的话，就只能看datasheet上给出的信息； A])P1c. 7"  
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2）若datasheet上都给出了静态特性曲线或者给出输入和输出阻抗值（基本上就在这个值范围内吧），若是静态特性曲线，从图上能确定最佳负载电阻，其最佳负载阻抗的虚部由提取管子的寄生得到，如何从小信号S参数提取寄生参数呢？也有介绍怎么提取的，这里我还没有具体操作。 [U8$HQ+x  
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3）如果有的管子（有些晶体三极管）既没有给出静态特性曲线，也没有输入和输出阻抗值，只有在某个静态工作点S参数，我想请教，看到的某个静态工作点下的S22的虚部是不是最佳负载阻抗的虚部？？（是不是datashe .. joXfmHB}  
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datasheet给的S参数都是小信号的。有的公司提供大信号的模型，可直接用于仿真。 UQd6/mD`e  
如果你没有loadpull的设备，基本是不可能得到大信号参数的。

谢谢楼上的版主。

以前看过Philips公司工程师写的文章,他们在大信号分析时,认为MOSFET输出阻抗可以等效为一个电阻R与电容C并联后,再与一个电感L串联,其中R是FET工作电压与输出功率的函数,一般可以近似为:R=(Vdd^2)/(2Po)(工作状态非A类,如果工作在AB类时,Vdd需要乘一个系数0.85~0.9),而C=1.15Cos(通常Cos在Datasheet上都给出),L是FET引线电感一般<2nH,在频率较低时可以忽略.供参考.

我也很想知道下！~

引用第3楼jtcong于2011-08-03 13:18发表的  : d'x<-l9  
以前看过Philips公司工程师写的文章,他们在大信号分析时,认为MOSFET输出阻抗可以等效为一个电阻R与电容C并联后,再与一个电感L串联,其中R是FET工作电压与输出功率的函数,一般可以近似为:R=(Vdd^2)/(2Po)(工作状态非A类,如果工作在AB类时,Vdd需要乘一个系数0.85~0.9),而C=1.15Cos(通常Cos在Datasheet上都给出),L是FET引线电感一般<2nH,在频率较低时可以忽略.供参考. AlAh S<  

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学习了

引用第3楼jtcong于2011-08-03 13:18发表的  : GI0x>Z+  
以前看过Philips公司工程师写的文章,他们在大信号分析时,认为MOSFET输出阻抗可以等效为一个电阻R与电容C并联后,再与一个电感L串联,其中R是FET工作电压与输出功率的函数,一般可以近似为:R=(Vdd^2)/(2Po)(工作状态非A类,如果工作在AB类时,Vdd需要乘一个系数0.85~0.9),而C=1.15Cos(通常Cos在Datasheet上都给出),L是FET引线电感一般<2nH,在频率较低时可以忽略.供参考. j|^-1X  

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谢谢，我试一下！

这个仿真只能提供一个大致的结果，最终还是需要大量的实验才能确定的

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仿真还能给个方向吧，我是想从理论上更加明确些