[案例实践]CST仿真连接器的屏蔽效能问题

问题描述： IIO-Jr  
ZK5 wZU  
同轴连接器的外导体上有一个缝隙，在缝隙处加了个屏蔽簧片，用CST MWS 计算外部探针处有无屏蔽措施的屏蔽效能。 ?g9oiOhnG  
u#nM_UJe  
计算方法： v4vIcHDs  
我的计算方法是：信号从两个端口输入，输出。在连接器的屏蔽片外加了个探针，计算泄漏信号Y方向上的电场强度。 0bl8J5Ar5  
                                如果两种情况下，有屏蔽片的电场强度小于无屏蔽片的电场强度，这是否说明屏蔽措施有效？ ):7mK03J  
                                屏蔽效能是否可以通过模板计算，即将其dB形式的结果相减即可。 ;|pw;-  
                               （根据概念：屏蔽效能是无屏蔽体时空间某点的电场强度与有屏蔽体时该点电场强度的比值。） ,vB~9^~  
ff5 e]^,  
疑问： QE+HL8c^s  
1 我的方法是否正确？ rmJ`^6V  
@7`=0;g  
2 仔细看了版主lantianyi 和管理员hefang的几个关于SE的解答，发现还加了平面波信号源。而且有两个探针。 8:fq!m  
   如果需要这样做，在连接器内部如何加平面波信号源，还有一个探针放哪？ v@Qf
xV2  
3gs!ojG  
3 版主和管理员是否可以用CST MWS做一个关于信号屏蔽和效能的教程 .. {'z(  
N~tq]  

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下载下来看了一下，有这么几个问题： g/gaPc
*86  
a}[rk*QmZ  
1、边界条件似乎不该用电壁，因为这样形成的是一个腔体，如果是屏蔽效能的话，最起码除了端口的几个边界应该是open。 /%TL{k&m$  
$V;0z~&!'  
2、看你的意思仿真的比较对象应该是没有屏蔽体的结果，这个屏蔽体是啥？就是外壁？还是其他的什么？你要自己知道没有屏蔽体的仿真该怎么做，我看要是外壁就是屏蔽体，这个端口再怎么加啊。。。注意：屏蔽效能，一定要在保证除了“屏蔽”外其他条件均一样，包括激励，边界条件，仿真时间。。。 D{6<,#P{w  
Z GrDa  
3、如果用平面波激励，不是在你的物体内部，而是在外部加平面波。 x5b .^75p$  
uP.dCs9-  
4、用模板相减的方法是对的，关键如我第2点所说，得找好比较对象。 T=':$(t  
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5、请上传zip文档，原因我就不想说了。。版内有公告。。。

非常感谢版主的及时回复！ xPJ@!ks9  
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屏蔽簧片是屏蔽体！ be [E^%  
Ct$\!|aR  
模型仿真的主要目的是想看，连接器在电磁信号通过时，从外导体上空气缝隙的泄漏量有多大（此时，屏蔽簧片可当做空气）；加了屏蔽簧片后，泄漏的信号是否有所减弱。 U"Y/PBs,  
K14v6d  
1、边界条件改为了open，端口为electrical，效果差不多。 f]2;s#cu  
在仿真的过程中，用open add space 试了下，发现探针处的电场强度为0，不知为什么。所以后来改为了电边界。 L }R-|  
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2、屏蔽簧片是屏蔽体！端口是waveguide port加在连接器两端，我想应该有信号泄漏出来。 ?y,KN}s_  
#-l+cu{  
3、如果不在物体内部加信号源，怎么看信号泄漏。 gFXz:!A  
信号从外部耦合进入物体内部的情况与信号从物体内部泄漏出去的情况应该不同吧。物体和环境也不是完全对称！ tUGF8?& G  
（我想在外部加平面波信号源，是看屏蔽机箱免受外部信号的干扰） @B!gxW\C  
fsWPU]\)  
4、根据概念：屏蔽效能是无屏蔽体时空间某点的电场强度E(或磁场强度H)与有屏蔽体时该点电场强度E (或磁场强度H)的比值。 /xd|mo)D  
所以更改簧片的材料，作了两次仿真，进行对比。 'fZ\uMdTx  
(W#^-*$R  
5、修改上传文档，谢谢提醒。 Ob]J!.  
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期待各位的意见，谢谢阿！ ycf)*0k  

版主lantianyi,你的老帖子里有段话，能解释下为什么要做傅立叶变化么？ a(uQGyr[k1  
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:u2tu60&MJ  
Z/:W.*u  
T0cm+|S  

图片:untitled.JPG

qat'Vj,  

1、电场探针是0的原因很明显，因为它所处的位置没有电场！而到底为什么没有场，我希望你能自己想一下可能性，这在实际中应当是有的，但是仿真出来没有，为什么？ yF^)H{yx  
2、没错，会有场泄漏出来，理论上，实际上，却不是你的仿真上。 G""=`@  
3、确实有不同，但是屏蔽效能这个定义本身，其实就是在一个特定情况下的定义，比如水平极化下的屏蔽效能，垂直极化下的屏蔽效能。而内部源的激励，总是能分解成垂直和水平分量，这个要靠大量的工程经验来看了，我没做过工程，所以不能说太多不专业的话，但是至少我做的外部源激励，也是能被需方认可。 !i=k=l=  
4、通常来说，都是比较频域上的电场强度，而非时域，因此时域信号要先傅立叶变换。 vpk~,D07yR  
o4&#,m+:  
希望对你有所帮助。我的能力也基本就到这个层面了。。。

版主，请问： 9L'R;H?L  
2、没错，会有场泄漏出来，理论上，实际上，却不是你的仿真上。 wA<#E6^vG  
s9Aq-N  
这句话的意思是在我的仿真上，不可能有信号泄漏出来吗？为什么？ k;pTOj  
v1Lu.JQC$  
在外导体中部有个空气缝隙，屏蔽簧片上也有空气槽，为什么会仿真不出来？ QeVM9br)m  
OQON~&~  
关于1、明天去公司在看看 
+LM/< l  
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|PED8K:rU  
vxzOG?Xc:  
这两天搞这个，看了网内的多个帖子，弄懂了一些概念，有些收获，网站的氛围不错，感谢版主。

1和2是一个问题，看来你没弄明白。。。

确实还没整明白 XQ--8G  
9zEO$<e o  
早上仿了下，发现与网格设置有关。 {*As-Y:'F  
将网格加密后，探针处可测得泄漏电场。 tS8*l2Y`   
/}r%DND'  
对于在外部加平面波信号，看屏蔽体内的信号进行对比，这种方法也是一种测屏蔽泄漏的方法。（查资料得知） BKIAc6  
Miqu  
在连接器和电缆组件的电磁泄漏测试中，称为GTEM小室法，即G赫兹横电磁波室测试法。 ]|( (&Y rl  
?C//UN;  
我会按你说的做一遍，谢谢！ Y.3]vno?X  

用平面波源试了下，输入，输出端口面改为open边界，有报警。 O8OAXRt/Y  
P_4E<"eK  
两次计算结果基本接近，是不是两个端口要封闭起来？ ,,SV@y;  
vgE -t  
斑竹有提示没？ ,ZghV1z  

有时间看下这篇文章吗？ {g#4E0.A!  
4w~%MZA^  
图5和图6 是射频泄漏的仿真 T\n6^@.
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D HT^.UM28  
不知道怎么弄得？