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CST MWS衰减器仿真,求达人指点~
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[建模]
CST MWS衰减器仿真,求达人指点~
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库尔班1986
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0楼
发表于: 2011-07-11 16:01:52
关键词:
CST
仿真
设置
端口
激励
小弟刚接触CST,想做一个衰减器,先弄了个草图,大致如下。
Dd# SUQ
rZ.a>'T4
黄色部分是接触电极。这个有点像是planner device,但是实际情况下信号又应该是从接触电极的上面来输入的。我想问一下,这种情况下激励端口应该设置为接触电极的正面还是 ..
d0A\#H_&
BY4 R@)
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库尔班1986
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1楼
发表于: 2011-07-11 16:07:22
图上不了,只能用附件,求大侠啊~
图片:11.jpg
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hefang
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2楼
发表于: 2011-07-11 18:29:34
回 楼主(库尔班1986) 的帖子
实在是没看懂描述……
t'_,9
ES2d9/]p-
蓝的是什么?咖啡的是什么?什么工作原理?要观察什么参数?其它的参数是如何设置的?
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版主周末都不回答问题?
版主要回答问题,你做到了吗?
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3楼
发表于: 2011-07-12 21:35:39
终于有高人了啊
>Z%^|S9
小弟要做一个衰减器,电路原理很简单,就是三个电阻,通过吸收功率来实现信号衰减。R2(蓝色方形)两端是输入输出,R1,R3(蓝色长条形)的公共端接地。电阻用厚膜工艺做在基板(咖啡色)上。黄色的是接触电极。问题一大堆啊~!这个该用什么模板呢?边界条件应该怎么设?端口该怎么设?为什么我把电阻材料设置为欧姆层后仿真警告声说TRANSIENT求解器不支持表面电阻为这个材料,直接给我当成PEC来处理?在线跪等解答啊~
图片:未命名111.jpg
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hefang
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4楼
发表于: 2011-07-12 22:06:59
回 3楼(库尔班1986) 的帖子
模版,考虑"Planar"?
dM') <lF
边界,考虑
非
"open"?
)mEF_ &
端口,你实测要怎么进行?
Rq*m x<HDX
+[ F8>9o&
“...TRANSIENT求解器不支持表面电阻为这个材料...”,中文不通顺,要么重新翻译,要么写原文。
S4_Y^
=mZw71,
CST MWS帮助文件《Material Overview (HF)》:Some special surface impedance models mentioned hereafter are only available for the transient solver and the general purpose frequency domain solver with tetrahedral mesh.
Nl+2m4
单看这段文字,好像只能使用tetrahedral mesh,hexahedral mesh可能不支持。电阻必须用surface impedance建模吗?
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5楼
发表于: 2011-07-12 22:26:01
嗯,模板我先试试。貌似频域不能仿开放边界问题..........实测其实我还没考虑到,问了一个师兄,他也说这个很关键。我觉得电阻材料是不是不能用欧姆层,而是设置为LOSSY MEATAL?
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6楼
发表于: 2011-07-12 22:27:31
能不能加QQ呢,有很多问题不懂,希望能经常请教
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hefang
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7楼
发表于: 2011-07-12 22:37:08
回 5楼(库尔班1986) 的帖子
我建议的是“
非
”open边界。
!$Z"\v'b
wjOAgOC
实测时候信号怎么接,仿真的时候端口就要怎么设置。
G,*s9P]1
_+iz?|U
试试看lossy metal吧,实在不行就用离散端口对付。
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8楼
发表于: 2011-07-12 22:44:34
— (hefang) 消息里有 (2011-07-13 00:14) —
嗯,我先试试~谢谢 Pro.He
求验证问题的答案~
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e21371797
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谢谢楼主分享~~~~~~~~~~
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