[建模]请问CST MWS仿真RFID电子标签天线是否用离散端口

你的天线配置应该是正确的，看了几个参数都一致。不过我不清楚介质板是否会对性能造成影响，因为文献里的介质厚度是75微米，你的模型是1毫米，差了13多倍。而且介质板建议考虑文献提到的0.003的损耗。 8?z7!k]  
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另外，文献指出输入阻抗应该是（40-j190）欧姆，不是纯50欧姆。 u+_6V  
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至于和实测的对比，我不清楚你实测的时候是否打算直接把天线接50欧姆的VNA？如果是，你测得的应该接近你现在仿真的。

貌似CST里对离散端口没法设置复数阻抗。。。 y<*/\]t9L[  
我都是直接看Z值。。。没去看RL。。。

请问hefang，你设置的155.3的依据是什么呢？

1 GHz计算得到的Z11是155.3欧姆。

但是155欧的匹配情况也很不理想啊，还有我把介质层的厚度减小后发现结果基本是没有影响的，怎么才能做到匹配呢，楼上说了CST离散端口不能设置复数阻抗，那怎么设置才可匹配呢

我并没有说155就是匹配的，我只是验证了天线的输入阻抗不是50欧姆纯电阻。 8h'*[-]70u  
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我现在在想楼主你所说的“匹配”是指什么？你是不是想说如何能设置端口阻抗接近你的天线的输入阻抗？ 7I;A5f  
CEl9/"0s6  
首先，建议楼主先自己计算出来模型的输入阻抗是多少。不能确定你的模型的输入阻抗一定和文献中的一致。 @0&KM|+  
其次，如果要实现复数端口阻抗，可以考虑Design Studio的External Port。 CEEAyip-c  
第三，楼主还没有考虑实测的时候你要如何处理。 {}DoRpq=  

仿真出来的Z矩阵不是天线的输入阻抗吗？离散端口的设置应该与结果中的Z矩阵是独立的吧。 mT&?DZ9<  
是的，我是想把端口阻抗设置为接近天线的输入阻抗

应该是的，我平时不用这个参数，具体细节不能确定。上面给出的图计算的是Z11的模值，你有可能需要分别计算实部和虚部。 (o518fmR  
9"cyZO  
需要考虑的是，Z11是随频率变化的参数，在DS的External Port中直接设置复数阻抗是一个确定的数值。所以如果你真的要与输入阻抗一致的话，你可能需要导入touchstone文件。参考CST DS帮助文件《External Port Properties - General》。 \e' oAhM  
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你还没有回答你实测的时候要怎么处理阻抗的问题。

Z matrix文件下不是有天线输入阻抗的实部和虚部么。。（real part 和imaginary part ），在我看来，如果你想让你的数据和论文接近。你就得把你的源阻抗设置成芯片阻抗的共轭。另外，貌似阻抗匹配的时候不能用模来计算，除非是纯阻抗。

如你上面所说，是用天线接50欧姆的VNA测的