[建模]请问CST MWS仿真RFID电子标签天线是否用离散端口

RT，天线的模型是按照一篇论文做的，但仿真出来的结果发现驻波比很大，能量集中在端口处，在天线内部 .. +E5=
$`  
f:woP7FP  

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我也是在网上找的一篇论文，用hfss同轴馈电方式计算，也遇到能量只在端口，不清楚什么原因。希望高手解答一下。

原因有很多种 ia&AW  
但不知道你的问题应该对应哪一种 2,2Z`X  
因为不知道你给的信息量很少，别人怎么回答？ C&LBr|  
只好作罢

注意你的边界条件设置正确没有。 P\8@g U!uk  
很可能是边界条件设置的问题

这样的问题最好把模型附带上来，描述得太粗糙不能判断。

现把模型附上 u*qV[y5Bl  

引用楼主oneline于2011-04-24 13:03发表的 请问CST MWS仿真RFID电子标签天线是否用离散端口 : ecoI-@CAI  
RT，天线的模型是按照一篇论文做的，但仿真出来的结果发现驻波比很大，能量集中在端口处，在天线内部根本没有能量 {Bk` Zlki  

Y;huTZ  
V6HZvuXV!  
我没有运行power的那个monitor，因为我平常不使用这个监视器。不过从表面电流来看金属结构都是连通的。 "RK"Pn+  
z~3ubta8(@  

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模型： 3Wbd=^hRvq  

图片:Model_Ori.jpg

&y=OZ !M  
'PY;  
Global Mesh Properties设置为"17, 17, 50"，取消metal edge refinement factor，运行energy based adaptive mesh refinement，得到的S11： HJ]e%og  

图片:S11_Ori.jpg

M:%g)FgW  
kc P ZIP:  
表面电流分布： vo\'ycPv  

图片:Current_Ori.jpg

rOt{bh6r  
-Pt E+R[A  
优化结束后的网格视图： "#7Q}d!x  

图片:Mesh_ori.jpg

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R+(f~
j'  
后处理得到的Z参数： 3ej237~F,L  

图片:Z_Ori.jpg

7z1@XO<D  

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不太清楚你的天线的指标是什么，能得到的结论就是天线的匹配不理想。我不知道你所看的论文的数据是什么样的，你并没有告诉大家，所以没有建议。 L FJ@4]%V  
r0lI&25
w  
如果我对Z参数的理解没有错的话，从计算的Z参数来看天线的输入阻抗和端口阻抗差得太远。 R3lZ|rxv:  
F9K`N8wlu  

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把离散端口的端口阻抗设置为155.3欧姆，得到的S11： _BerHoQd  

图片:S11_ada.jpg

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%%?}db1n  
我只运行了三个Pass，得到的结果都比之前的结果要好，个人认为天线的输入阻抗明显不是50欧姆。 MZ-;'w&Z  
1v.#ndk  

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看楼主的描述，似乎论文里的天线性能要比楼主的好，那么，现在的问题就是：楼主你如何确定你的模型和“论文的模型”一致？ `^hA&/1  

输入阻抗的确应该不是50欧，论文上说设计的是匹配实部在( 35~ 87)之间, 虚部值在( 158~ 247)之间的芯片,底面材料是介电常数2.7，那应该怎么设置输入阻抗呢，仿真后Z参数的确是符合论文参数的，但是驻波比并没有符合论文设计的小于2.。。。

我现在要做个双U型天线。。。要求输入阻抗是50欧。。。驻波比小于2，所以我就根据这篇论文的模型做的  XA;PWl5!  

因为测量的时候会用到50欧的同轴线，那么天线的输入阻抗应是50欧才能与之匹配，仿真时要将离散端口设置为50欧，那这个天线的Z参数指的是不是输入阻抗？如果天线的输入阻抗不是纯电阻，如何仿真匹配时的情况？