[建模]CST MWS微带转波导求助

我用CST建了一个微带转波导的模型，可是总是提示微带端口的模式问题，请问微带模式是怎么划分的，我记得只有一种模式啊，大家帮我 .. s5|)4Zac  
Z`h_oK#y15  

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RAR文件……等别人吧，我是帮不了你了。

只能回复压缩文件啊，您帮我看看吧

仿了一下，没啥报错啊。全ka band 都在-15dB以下。 ~x4]^XS  
!59u z4  
to hefang，把我的附件.rar改成.cst就行了。

引用楼主509040207于2011-04-07 16:10发表的 CST MWS微带转波导求助 : SFQYrY  
我用CST建了一个微带转波导的模型，可是总是提示微带端口的模式问题，请问微带模式是怎么划分的，我记得只有一种模式啊，大家帮我看看有什么问题 GfMCHs   

Z<^TO1xs9B  
1?j['~aE  
楼主想说的应该是这个提示信息： X cDu&6Dy  

图片:Message.JPG

4<{]_S6"0y  
M)v4>Rw+  
这是因为仿真频段内端口1引入了高次模，需要至少两个模式才能取消这个提示信息。 @#CZ7~Hn  
vl
67Xtk4  
端口1基模的电场分布： ;%_s4  

图片:Port1_1.JPG

cN(Toj'`  
H$o=kQN  
端口1高次模的电场分布： U81--'@y  

图片:Port1_2.JPG

~vMdIZ.h  
/-v6jiM  
端口2的电场分布： swGp{wJ  

图片:Port2.JPG

 5gZ6H/.  
5y`n8. (?  
仿真得到的S参数： <g4
[p^A  

图片:S_all.JPG

CfMCc:8mL  
K
qI<#hUl  
基模的S参数： O"6 (k{`  

图片:S_base.JPG

p6Ie?Gg  
Uzzt+Iwm  

---

c1
x{$  
题外：网格参数还需要调整，运行Energy based adaptive mesh refinement得到的S参数变化还挺大，说明网格划分还有很大的优化空间。      

高次模是不是由于加上屏蔽盒的原因啊，因为我使用的是电边界，所以导致高次模的产生呢？如何去消除高次模的影响呢？谢谢

仿真的时候还会提示结构中有损耗材料或者结构有损耗，两端口是互易的会导致结果的不准确，是什么原因呢？

关于上面的问题，请善用软件的帮助文件。 @G"nkB   
L5bq\  
CST MWS帮助文件《Waveguide Port Overview》： R iLl\S#  
Inhomogeneous Waveguide Ports (Special Treatment) -> Microstrip Lines / Coplanar Lines (QTEM Modes) ]q1w@)]n}  
General Information -> Losses in Waveguide Ports

引用第5楼509040207于2011-04-07 21:18发表的 回 4楼(hefang) 的帖子 : ] `;Fc8$  
高次模是不是由于加上屏蔽盒的原因啊，因为我使用的是电边界，所以导致高次模的产生呢？如何去消除高次模的影响呢？谢谢 d263#R  

8wCB}qC  
不知道你实际模型里面有没有电边界？没有的话就应该没有这个高次模。或者端口足够大，高次模影响可以忽略。

我最近也在搞微带转波导