[求助]关于理想导体表面设置，急

求教大家，理想导体，二维TM波（即含有Hx  Hy  Ez），导体表面的Ez如何设置？直接设为0就行吗？可是计算却发散。 (JjxrZ+L  
TE波（即含有Ex  Ey  Hz），计算却没有问题，表面Ex  .. #uC}IX2n  
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我刚写个这个程序，没有发散，肯定是你那里写错了吧

谢谢您的热心。现在问题是这样的，无论二维哪一种偏振，比如TE偏振（Ex Ey Hz），有两种网格可以选取。一种是Ex Ey平行于网格边，Hz在每一个网格中心，这种网格建模后如果需要设置理想导体，直接令表面的Ex Ey为0就行，因为它们已经是切向分量；但是我选择了另外一种网格，Ex Ey垂直于网格边，Hz在网格交叉处，这样在模拟理想导体时，就不能直接令导体表面的Ex Ey为0了，因为它们是法向分量。 <0Gk:NB,  
在这种情况下，本着法向D是连续的原则，我设表面D为0，但是结果也不好，我不知道这样可以不可以。总之，如果直接强制表面法向的E为0，那结果是发散的。 oXVx9dZ  
当然变换网格就可以解决这个问题了，但是在我的问题中，网格确实不能变换。 QV#HN"F/K  
不知道您选择的是哪一种网格？ N~?#Qh|ZnU  
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原先看过的程序，直接设置导体区域电导率特别大就行了，没对边界做什么处理，效果也很好啊

二维TM波（即含有Hx  Hy  Ez），Hx=0, Hy=0,不用设置Ez； }%D${.R]  
不知道你的网格怎么取的，不用管法向分量。你怎么取也该有2个切向一个法向吧，你看看你X,Y,Z究竟哪个是切向的。

谢谢楼上二位的解答，我的网格是这样的： m~&>+q ^7  
8:uh0  
；由于问题的特殊性，我只能这么取，所以H都是法向的，然后PMC就不会设置了。

取为零和不去为零，是根据金属导体的边界条件确定的，你看一下TM情况的边界条件

你不要在数值模拟中到处加入数值计算的东西，两个要区分开。 77G4E ,]  
有时候对金属模拟，我们直接对金属边界的电场为0，基本上对一维的处理比较多一些，而且都是做示范用的。 @Lm(bW  
取0是因为我们知道金属的电导率非常大，在那一点基本上全反射，所以电场近似为0，估计又懒的设立具体的金属参数而使用偷懒的方法。 ?/KkN3Y_j[  
@OC*:?!4  
实际正确的做法就是，你把模型建好后，在有金属的区域内设置好金属的参数，然后就什么都不用管了，直接模拟就行了。  c$)!02  
然后根据模拟结果，你会发现金属那边的电场很小，基本为零等等各种已知的现象和结果。 v/3Vsd  
U[!wu]HMF  
你不要在模型里面设置了金属的参数，然后又认为的干预，比如说本来在金属边界的某一点正正负负，稳定减小的，你认为的去设一个分量为0，引起的后果你也无法预测。

如果你已经完全正确的建好模型（设置源，目标物体，吸收边界），参数也取得对（空间时间步长，吸收边界厚度），推导公式也没问题（电场，磁场的递推公式，源的加入，吸收边界的迭代公式），那就足够了。 4[m4u6z=  

引用第8楼gwzhao于2011-06-12 07:21发表的 : G#&R/Tc5N  
如果你已经完全正确的建好模型（设置源，目标物体，吸收边界），参数也取得对（空间时间步长，吸收边界厚度），推导公式也没问题（电场，磁场的递推公式，源的加入，吸收边界的迭代公式），那就足够了。 ?>V4pgGCE  
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再次感谢您的热心指点！