登 录
註 冊
论坛
微波仿真网
注册
登录论坛可查看更多信息
微波仿真论坛
>
THz(太赫兹)技术版
>
太赫兹
发帖
回复
11806
阅读
7
回复
[THz的概念]
太赫兹
离线
阿莫西林
UID :66665
注册:
2010-09-19
登录:
2012-04-05
发帖:
5
等级:
旁观者
0楼
发表于: 2010-09-20 10:04:15
一、前言
iLR^ V!
_a[)hu8q.
THz
波是指频率在(
0.1
-
1 0
)
THz
(波长为
3000
—
30
微米)范围内的电磁波,
1THz=10
12
Hz
。由图
1
可见,它在长波段与毫米波(亚毫米波)相重合,而在短波段,与红外线相重合下,可见,太赫兹波在电磁波频谱中占有很特殊的位置。由于多种科学技术原因,特别是
THz
波源的问题未能很好解决,太赫兹波科学技术的发展受到很大的限制,从而使其应用潜能未能发挥出来,如
Fi g.2
所示。
bzh`s<+
UP?]5x>
如
Fig.1
所示,人们提出
THz
空白(
THz Gap
)的概念。其实
THz Gap
可以有以下几方面的意义:
Pi&8!e<
$1< ~J
1
.
THz
所处的位置正好处于科学技术发展相对较好的微波毫米波与红外线光学之间,形成一个相对落后的“空白”。
^`< %Pk
*B ]5K{N
2
.
THz
的长波方向,主要依靠电子学(
Electronics
)科学技术,而
THz
的短波长方向则主要是光子学
(Photonics)
科学技术,从而在电子学与光子学之间形成一个
Gap
。这点具有深刻的物理含义,将在
THz
源一节中详细讨论。
?VaAVxd29
;c;5O@R}3
图
2
(
a
)表示半导体器件和激光器件(主要是量子级联激光)的工作频率范围。可以看到,所有的半导体器件目前都难以达到
THz
波段,而量子级联激光的工作频率可以从光波向
THz
延伸下来。红线表示
2002
年以后的发展状况。
ouO<un
图
2
(
b
)则表示真空电子学
THz
源的发展状况。可以看到:某些真空电子器件的工作频率已经从微波毫米波波段逐步向
THz
推进,而
FEL
的频率则不受限制,可以工作在整个
THz
波段。要指出的是,真空电子学
THz
源的迅速发展,也是近几年发生的。
AC& }8w[>u
=(%+S<}
由于
THz
所处的特殊电磁波谱的位置,它有很多优越的特性,有非常重要的学术和应用价值(有的已处于实用),使得全世界各国都给予极大的关注。美国、欧州和日本尤为重视。
W^sH|2g
< X&{6xu
1
)在美国包括常青藤大学在内有数十所大学都在从事
THz
的研究工作,特别是美国重要的国家实验室,如
1,pg7L8H
@Q#<-/
LLNL
,
LBNL
,
SLAC
,
JPL
,
BNL
,
NRL
,
ALS
,
ORNL
等都在开展
THz
科学技术的研究工作。美国国家基金会
(
NSF
)
、国家航天局
(
NASA
)
、能源部
(
DOE
)
和国家卫生学会
(
NIH
)
等从
90
年代中期开始对
THz
科技研究进行大规模的投入。
,{rm<M.)
WiBO8N,%`
2
)英国的
Rutherford
国家实验室,剑桥大学、里兹大学、
Strathclyde
等十几所大学,德国的
KFZ
,
BESSY
,
Karlsruhe
,
Cohn
,
Hamburg
及若干所大学,都积极开展
THz
研究工作。欧洲国家还利用欧盟的资金组织了跨国家的多学科参加的大型合作研究项目。在俄国国家科学院专门设立了一个
THz
研究计划,
IAP
,
IGP
及一些大学也都在积极开展
THz
研究工作。
SRfnT?u6
)cUFb:D*"
3
)在亚洲国家和区域,韩国国立汉城大学、浦项科技大学、国立新加坡大学、台湾大学、台湾清华大学等都积极开展
THz
研究工作,并发表了不少有分量的论文。
g2t'u4>
H}}g\|r&
4
)日本于
2005
年
1
月
8
日,公布了日本国十年科技战略规划,提出十项重大关键技术,将
THz
列为首位。东京大学、京都大学、大阪大学、东北大
学、福井大学以及
SLLSC
,
NTT Advanced Technology Corporation
,
etc
.等公司都大力开展
THz
的研究与开发工作。
%"{jNC?
L-V+ `![{
可见,目前已经在全世界范围内形成了一个
THz
技术研究高潮。
R3\oLT4
u?-X07_
本次香山会议的目的是尽可能集中我国的科学技术智慧,研究和讨论
THz
科学技术及其应用的发展现状和前景,研究和讨论并提出对我国
THz
科学技术及其应用发展的战略思考和研究工作的意见和建议,供政府领导参考。因此,本次会议意义重大。
JS{trqc1d
Dqh rg;
经过慎重研究,本次香山科学会上的报告是这样安排的:安排了一个主题报告《
THz
科学技术的新发展》。在
THz
科学技术及应用中辐射源和检测技术是两个主要问题。对这两个方面安排了四个专题报告。成像和光谱技术对于
THz
辐射的应用来讲是很关键的,安排了两个专题报告。真空电子学对
THz
辐射源可能有很重要的贡献,安排了一个专题报告。光子晶体在
THz
波功能器件方面占有重要地位,安排了一个专题报告,会议还安排了
THz
科学技术在天文学方面的应用的专题报告。本来很想安排一个有关
THz
科学技术在生物医学方面应用的专题报告,但因一时无法找到合适的报告专家而未能实现。但是,与会专家也可临时在会上就某一问题作简短报告。
2F- ]0kGR|
NJ ];Ck
在这次香山科学会上,专题报告的安排如下:
J3P)oM[
rM5{R}+;
专题报告
1
《基于光学及光子学的
THz
辐射源》姚建铨
W:V:Ej7 h
B+Ox#[<75
专题报告
2
《
THz
波段的光谱分析和探测》汪力
+D&aE$<
~o?(O1QY
专题报告
3
《太赫兹波的应用》张存林
i{.%4tA4
!GL kAV
专题报告
4
《太赫兹量子级联激光器及其他重要的半导体源》曹俊诚
_Vl22'wl
W2 p&LP
专题报告
5
《太赫兹波段信号的检测》吴培亨
mYRW/8+g
fAHf}j
专题报告
6
《太赫兹在天文科学中的应用》史生才
>56I`[)
lf?dTPrD
专题报告
7
《在激光等离子体中产生的超强太赫兹辐射》盛政明
XA4miQn&
c^a Dr
专题报告
8
《真空电子学对太赫兹源的可能贡献,大功率太赫兹辐射源》刘盛纲
KMo]J1o
y/d/#}\:
F9\T<
Bk)*Z/1<x
二、太赫兹辐射的主要特征
<f+9wuZ
F\U^-/0,
(
1
)量子能量和黑体温度很低
SuuLB6{u3
o1B8_$aYgc
Wave number
AFN"#M
Wavelength
Okt0b|=`1*
Frequency
pjVF^gv,*
Energy
[ _Nw5_
Blackbody Temp.
D<SLv,Y
1cm
-1
x.ZW%P1
10mm
u:[vqlU
30GHz
,y%4QvG7a
120µeV
3|qT.QR`Z
1.5K
b!hs|emo;
10cm
-1
{!G
1mm
l*(Ml= O{
300GHz
G:k]tZ*`
1.2meV
wx2EMr
15K
?9I=XTR
33cm
-1
zv>3Tc0R
300µm
=k+nC)e
1THz
hI Q 2s
4.1meV
~n<U8cm O
48K
THcK,`lX@
100cm
-1
)!tqock*v
100µm
7>sNjOt@M
3THz
'Bc{N^
12meV
34e>R?J
140K
<[W41{
200cm
-1
Sh(W s2b7
50µm
QgZ`~
6THz
LFHzd@Y7"
25meV
"jFRGgd79
290K
y53f73Cg
670cm
-1
E]<Ce;Vj
15µm
\4qwLM?E^
20THz
% bpVK~z
83meV
P_{jZ}y(
960K
vvvH5NRm
rr;p;
oI2YJ2?Je8
(
2
)许多生物大分子,如有机分子的振动和旋转频率都在
THz
波段,所以在
THz
波段表现出很强的吸收和谐振。
=}h8Cl{H/
_${//`ia=
(
3
)
THz
辐射能以很小的衰减穿透物质如陶瓷、脂肪、碳板、布料、塑料等,因此可用其探测低浓度极化气体,适用于控制污染。
THz
辐射可无损穿透墙壁、布料,使得其能在某些特殊领域发挥作用。
#MwNyZ
_5%NG 3c
(
4
)
THz
的时域频谱信噪比很高,这使得
THz
非常适用于成像应用
zVL"$ )
,-[e{=Cz
(
5
)带宽很宽(
0.1
—
10T
)
Hz
。
d \[cFe1d
(
6
)很短的
THz
脉冲却有着非常宽的带宽和不同寻常的特点。
gqCDF H
,k=1'7d
I]dt1iXu_{
Yc]
三、太赫兹的重要战略意义
RD1N@sHDKc
——重大科技项目,国家重大目标
}/cMG/%
WBIJ9e2~
经过近十几年来的研究,国际科技界公认,
THz
科学技术是一个非常重要的交叉前沿领域。由于
THz
的频率很高(波长比微波小
1000
陪以上),所以其空间分辨率很高。又由于脉冲很短(飞秒),
THz
辐射具有很高的时间分辨率。
THz
成像技术及
THz
波谱技术就构成了
THz
应用的两个主要关键技术。另一方面,
THz
的能量很小,不会对物质产生破坏作用,所以与
X
射线相比,它又有很大的优势。
Rfuq(DwD6
NrTK+6 z
Yale
大学
C
.
A
.
Schmutenmaer
教授在今年
IRMMW
—
THz
国际会议上做大会特邀报告,题目为“
Learning Chemistry and Physics to Terahertz
(利用
THz
重新学习化学和物理学
)
”。可见,国际科技界对
THz
的重视。
e_iXR#bZc
6&Al9+$
国际科技界对
THz
辐射有以下几点认识:
tn@MOOPl
V <;vy&&
l
、
THz
辐射是一种新的、有很多独特优点的辐射源。
_pM~v>~*+
PRo;NE
2
、
THz
技术为科学技术的创新、国民经济发展和国家安全等方面提供了一个非常诱人的机遇。
YN<:k Wu
pD)$O}
因此,积极开展
THz
科学技术的研究工作对我国具有重要的战略意义。
D;RZE
Z6Kw'3
A
.科学研究的新的强有力的新方法
@2HNYW)
djGzJLH
(
1
)
THz
成像和
THz
波谱学在物理学、化学、生物医学、天文学、材料科学和环境科学等方面有着极其重要的应用。
|5(< Vk=
{y0 `p1
(
2
)
THz
波不仅可以成像而且可以作为一种特殊而有效的探针,对物质内部进行深入研究,提供关于物质的化学及生物成分、波谱特性、
THz
标记、量子互作用过程等重要信息。
Ivdg1X
|#x]FNg
例如:利用
THz
很高的时域分辨率研究
CdSe
光导量子过渡现象,研究
Ti0
2
纳米晶格中载流子的输运过程,以及研究调控原子/分子的无辐射量子跃迁等方面均取得了重要的新成果。
THz
量子光学及量子计算机应用及强磁场下半导体的
THz
辐射等方面都作出了很突出的成就。
XX])B%*
=^L?Sgg
利用强功率
THz
辐射可激发起物质内部原子及分子的非线性动力学过程,从而利用大功率超短脉冲
THz
可以在分子水平上研究物质的非线性特性。
nm3/-Q},
D6MktE)'
(
3
)
THz
在等离子体检测方面也有重要的优势。利用
THz
辐射可以探测出高温、高密度等离子体中密度的空间分布。
THz
在天文学研究上的应用显得很突出,科学家们在南极建立了一个移动天文站,利用
THz
望远镜观察到很多重要的新星体,对于研究宇宙的起源和星体的形成有重要的意义
(
值得一提的是我国在
2005
年初,也在南极建立了一个研究站
)
。
.&Rj2d
6L\?+=X
因此,国际科技界认为,
THz
辐射可能引发科学技术的革命性发展
E,fG<X{
aLKvl~s;m
B
.
THz
技术对国民经济发展将起着重要的推动作用
(w+dB8)X
%?`TyVt&0
(
1
)
THz
在生物医学上的应用具有很大的吸引力。在皮肤癌的诊断和治疗,
DNA
的探测,
THz
的医学应用,
THz
断层成像,
THz
生物化学应用,药物的分析和检测等方面都显示了其强大的功能和成效。
`tZ-8f
vi:IO
基于对蛋白质及基因特性等的研究,可建立起
THz
生物分子诊断技术。
J#L"kz
ag~4m5n*~
从而极大推动分子生物学的发展,并在医疗及药品的研制鉴定方面有很大的应用前景。
fsr0E=nV
dDeImSeV
(
2
)由于生物大分子的振动和转动频率均在
THz
波段,而
THz
辐射技术又可提取
DNA
的重要信息,因此,
THz
在植物,特别是粮食选种,优良菌种的选择等方面可以起重要的作用。总之太赫兹科学技术对农业、食品加工等行业有重要意义。
ejID5NqG
R,'` A.Kk
THz
在生物医学上有广泛的应用前景,下图表示在
THz
对皮肤癌的诊断和应用。
1`;,_>8
c(tX761qz
(
3
)
THz
辐射可以穿透烟雾,又可检测出有毒或有害分子,所以在环境监测和保护方面可以发挥重要作用。据报道,
THz
环境监控设备(利用
CO
2
激光作为泵源产生的
2.5THz)
已安装在美国卫星上。
xbeVqP
fQ@k$W\
C
.
THz
在国家安全、反恐方面的应用有着独特的优势
Cc7YjsRW
DQ a0S7I
(
1
)利用
THz
可以穿透物质的特性,英国首先研制了
THz
摄像机并且已在机场安全检查方面进行试用,效果很好。特别重要的是美国橡树岭国家实验室(
ORNL
)和田纳西大学合作,开展“穿墙计划(
Through wall Program
)”,利用
THz
成像技术从外部获得墙内信息。显然,这项穿墙技术在国家安全方面有很重要的价值
a1p}y2
x9&{@ ?o
此外,利用
THz
波谱可以快速、有效的检查和识别毒品,美国已开展用
THz
谱技术检查邮件等项目,包括
THz
化学和生物制品的检测。
F_ Cp,
+d=cI
(
2
)
THz
在雷达和通信等方面的应用也有很大的潜力。
THz
在太空通信方面的巨大优势是没有疑问的。
THz
的大气窗口也已研究过
(
图
6
所示
)
。
THz
雷达在反隐身方面有特殊的功能。下面的报告中会谈到大功率
THz
辐射源的问题,这方面的研究工作是为
THz
雷达等做准备的。
THz
卫星太空成像和通信技术可能是今后大国关注的重要领域。
hj8S#
5/m^9@A
(
3
)
THz
应用于航天飞机可能故障的探测
b}eBy
/6$8djw
哥伦比亚号航天飞机失事之后不久,根据航天飞机发射时拍摄的录像资料,提出了对失事原因的分析。美国一个实验室已进行了实验。所采用的
THz
脉冲中心频率为
lTHz
,频带宽度为
3THz
。经过多次实验,尤其是最近的对
PAL
~
Ramp SOFI
绝热泡沫层的成功探测,充分证明
THz
脉冲的确可以对航天飞机进行有效的无损探伤。我国太空发展计划肯定会需要这样的技术。
R"0fZENTG
H%AF,
D
、
THz
科学技术是新一代
IT
产业的基础
N8s2v W
9)Jc'd|
(
1
)科学家们预计,一旦
THz
辐射源、
THz
检测技术等发展以后,
THz
可以在现代
IT
科学技术和工业领域有极强的竞争力。下面将要说明这种竞争实际上已经开始。
AzwG_XgM)
~SWR|[
(
2
)随着
THz
科学技术的发展,很多高科技公司相继诞生,例如:英国
Rultherford
国家实验室
(Rutherford Appleton Lab
(
RAL
)
)
及欧洲航天局
(ESA)
于
2002
年起,执行
Star Ti ger
计划成功后,建立了一个公司
ThruVision
公司,专门从事有关
THz
成像的商品化工作,开发出被动式
THz
成像仪,有以下特点:
a
.被动式不需要
THz
源;
b
.可实时成像。英国剑桥大学孵化出
(Spinoff)
一个高科技公司一
TeraView Ltd
.从事
THz
摄像机的开发;
[kjm EMF9i
%I&[:
(
3
)美国
Michigen
大学及
Stanford
大学孵化出
Picometrix
;
Physicalscience Inc
.;
Calabazas Creek Res
.
Inc
.等公司。基地设在加州的
Picometrix
公司的任务是“将
THz
科学技术交给政府及大学实验室手中,以便他们用于各项研究工作”。
;g M$%!&
p?q~.YY
(
4
)日本也有很多公司,它们已经在从事包括高功率
THz
源在内的有关
THz
科学技术的研究、开发及成果的商业化等工作。可见,以
THz
科学技术为基础的新一代
IT
产业已开始逐步形成。
R>05MhA+
)w.\xA~|
E
.研究
THz
技术本身就是一门重要的学科
ND3(oes+;K
.gPXW=r
如各种
THz
辐射的产生机制、超短脉冲
THz
的传播和传输、
THz
与物质的相互作用等。
/<\B8^yQ
/J-:?./
下面给出几幅
THz
成像及
THz
波谱的结构框图。其中,有一幅是
JPL
研制的
150
微米的
THz
成像框图。由这些框图可以看到
THz
成像和
THz
波谱的发展和应用。
>We:gKxr
,2I8,MOg
同时也可以看到为了建立
THz
成像和
THz
波谱需要研究哪些
THz
器件和元件,如:
THz
源,
THz
检测,混频,
THz
传输、谐振等,以构成一个完整的
THz
成像和
THz
波谱系统。从下节起,我们将讨论这些器件和元件。
c,\!<4
+}u{{
Ki"o0u
IQz:DJ
四、太赫兹辐射源
_ zh>q4M
6tKm'`^z4
有很多方法都可以产生
THz
辐射。
ATdK)gG
X9d~r_2&m<
(
1
)
半导体
THz
源(包括
THz
量子级联激光器等)。
^JKV~+ Q
D8b~-#
(
2
)
基于光子学的
THz
发生器。
xK3 xiR
0."TSe83\
(
3
)
利用自由电子的
THz
辐射源(包括
THz
真空器件,电子回旋脉塞和自由电子激光)。
w,'"2^Cwy
KG5h$eM'
(
4
)
基于高能加速器的
THz
辐射源
kDrqV{_
D)u 9Y
不同的用途对
THz
源可能提出不同的要求。有点要求输出功率较大,有的要求有较合适的频率。
y].vll8R
f8m%T%]f
2002
年在
Nature
上发表了两篇
THz
源的重要文章。这两篇文章对
THz
源的发展起到了很大的推动作用。
cjd Z.jR2
ylEQeN
(
1
)“
Terahertz semiconductor heterostructure laser
”,
Nature417
,
156
-
159
,
2002
.
By Italian and UK Scientists
,
Radiomen Kiblen etc
,
It is considered as a breakthrough in the Quantum cascade lasers
.
BgzER[g|q{
%Q0J$eC
(
2
)“
High power Terahertz Radiation From RelativisticElectronics
”,
Nature 420
,
153
—
156
,
2002
,这篇文章被
Nature
编辑部确定为“研究亮点
(Research highlights)
”.这项工作是由以下三个美国国家实验室:
Lawrence Livermoe
,
Brookhaven and Jeffersan NationalLabs
完成的。
?2#v`Z=L;
8\85Wk{b
两篇文章中一篇是有关量子级联激光的突破,这是一种非常重要的半导体
THz
辐射源。另一篇是基于自由电子的有关高功率
THz
辐射的,结合了光子学和电子学技术。
oZY2K3J)
.7!n%Ks
1
、半导体太赫兹源
$h({x~Oj9
固态
THz
源具有小巧、价格低廉和频率可调的特点,是人们希望的一种
THz
源。但半导体器件的工作频率难于达到
1THz
以上,而半导体
THz
激光器,特别是
THz
量子级联激光器是目前的发展重点之一。第一篇关于量子级联激光的文章有
Melvin Lax
等发表于
1960
年,其后于
1994
年起,
Bell
实验室的
J
.
Faist
做了很多有益的工作(
Science
,
264
,
22
,
1994)
。在俄国这方面的工作也做了不少
(Kazarinov
,
Sov
.
Phys
.
Semi
.
5
,
207
,
1971)
,但实验长期没有突破。朗讯曾把
QCL
作为一个研发重点,但没有结果。直至
2002
年由英国和意大利科学家获得突破(
Nature 417
,
156
-
159
,
2002
)。
bg8<}~zg
j\ dY
量子级联激光器
(QCL)
是以异结构半导体(
GaAs
/
AIGaAs
)的导带中的次能级间的跃迁为基础的一种激光器。利用纵向光学声子的谐振产生粒子数反转。
GO=&
RuW62QSq
2002
年的结果是频率
4.4THz
,温度
50K
,脉冲功率
20mW
。
|#r[{2sS
eTV%+
此后,很多国家都积极开展
QCL
的研究工作,采用了不同的材料。
~sI$xX!
2!Mwui;%
到
2004
年,美国
MIT
最新的结果是:
2.1 THz
,
CW
功率
lmW(
温度
93K)
,脉冲功率为
20mW
(温度
137K
)。
P[.BK
7d7"^M
到
2005
年,
MIT QCL
已经用于
THz
成像,可见
THz
技术发展的速度比我们想象的要快得多。
'_~X(izc
e2SU)Tr%b
在我国,中国电子集团南京
55
所,渡越雪崩二极管可以做到
0.1THz
。中国科学院上海微系统研究所和中国科学院半导体研究所,已开展
QCL
的研究工作并已作出一定的成果。
S;582H9D
s?.A $^t
半导体
THz
辐射源已安排了一个专题报告进行详细论述。
;U +;NsCH
m}x&]">9
2
、基于光子学的太赫兹辐射源
gD[Fkq$]
飞秒激光脉冲的发展给
THz
源带来了很大的机遇。已经发展了很多基于飞秒激光脉冲和非线性光学晶体的
THz
激光源。
:OF:(,J
&r{.b#7\/A
如
THz
光导天线、光整流、非线性差频、
THz
参量振荡器和放大器(
TPG
,
TPO
,
TPA
)和光学
Cherenkov
辐射等等。
rY 0kzD/
UHtxzp =[
这种方法产生的
THz
辐射,可以是脉冲的,也可以是连续波的。
!_EaF`oh(
Bhy:" r%#
下图表示光脉冲通过非线性光学晶体产生
THz
辐射的典型情况。差频发生器(
DEG
),是一个三波混频非线性过程。
a!;]9}u7
GQNs :oRJ'
这方面的研究工作,我国天津大学等单位,也已开展了研究工作,并作出了一定的成果。详细内容将在专题报告中给出。
.Q,IO CHk
X>n\@rTo
3
、基于真空电子学的太赫兹源
j:yQP#U
近儿年来,随着
THz
科学技术的迅速发展,利用真空电子学产生
THz
辐射的研究工作取得了很大的进步,其中包括真空电子器件、电子回旋脉塞、自由电子激光、
Cherenkov
辐射,甚至使用储存环加速器来产生高亮度
THz
辐射。
IQZBH2R
T@n-^B !Xq
某些真空电子器件如返波管(
BWO
)、扩展互作用振荡器(
E1O
)、绕射辐射器件
(Orotron)
等的工作频率己接近或达到
1THz
。
]m#.MZe
cR0RJ$[d
回旋管可望在
1THz
产生千瓦级的脉冲输出,平均功率可达几十瓦以上。
p8>.Q/4
jf&LSK;2
特别是由
CIT
的
JPL
实验室等研究的“纳米速调管”可望在
1
—
3THz
频率上工作。纳米速调管结合了电子学、光子学和微加工技术,是很有创新意义的一种新器件。
&IQp&
x<0-'EF/S
纳米速调管由于使用微加工技术,所以保证每个纳米速调管频率和相位的一致性,因此可以组成纳米速调管阵列,以大大提高输出功率。利用构成
THz
阵列辐射源是提高
THz
辐射功率的一个重要途径。
yMQuM:d
m"2KAq61
自由电子激光可工作于
THz
。自由电子激光的波长主要取决于摇摆器的周期和电子束的能量:
JY\8^}'9
λ≈λ
ω
/
4
γ
2
γ=(
1
-β
2
)
-1
β=
v/c
P(_wT:8C?
[w%MECTe
其中
λ
w
是摇摆器周期,
γ
是相对论因子。
lF:gQ]oc
$GzTDq Y9@
今年
1
月
13
一
14
日,在美国
Honolulu
召开的
THz
辐射源研讨会上,报告了一篇用
lMeV
静电加速器的
FEI
,可以在
2mm
到
500
微米,(
0.15
—
6
)
THz
,产生
lkW
的准连续波输出,这一结果被认为是迄今为止最重要的成果之一。
,1\nd{
>bf29tr
2002
年,在
Nature
上发表的另一篇论文体现了电子学和光子学相结合的方法。利用飞秒激光照射
GaAs
光学晶体,发射出电子束,再用加速器将电子束加速到
40MeV
。电子在磁场作用下作旋转运动从而发射出
THz
辐射,由于电子束的尺度远小于波长,所以辐射是相干的。实验结果可以得到
20w
连续波的
THz
辐射。所以,如前所述,
Nature
编辑部将这篇文章定为研究亮点。
c !$ 8>
I 9yNTD
我国真空电子器件已有相当好的基础,回旋管的研究工作已在电子科技大学和中科院电子所进行,在
0.1THz
已作出近
100KW
脉冲输出的回旋管。
FEL
己在中科院高能物理所、中国工程物理研究院、北京大学和电子科技大学进行,并取得一定的成果。
6AZJ,Q\E@
H$^b.5K
利用自由电子产生
THz
辐射的详细论述将在另一专题报告中给出。
o@ ?3i+%}8
6,"fH{Bd
3~e"CKD>
Y * #'Gh,
五、太赫兹波段信号的检测
xZ51iD$
VQm)32'
在
THz
波段的开发和利用中,信号的检测具有举足轻重的重要意义。因为,一方面,与较短波长相比,
THz
波段光子能量低,背景噪声常常占据显著的地位;另一方面,为了充分发挥
THz
系统的作用(例如,发现更微弱的目标、在更远的距离上通讯等等),不断提高接收的灵敏度也是必然的追求。
+\`D1d@
iY=M67V
在不同的频率应选择不同的检测器。在
THz
的低端,一般倾向于外差式的检测器,而在
THz
的高端,直接检测器的灵敏度似乎更胜一筹。有关的简况和进一步发展的建议如下。
_)J;PbK~
OHqc,@a;+
脉冲
THz
信号检测的两种方法:(
a
)光导天线;(
b
)电光取样。
-fl?G%:(!0
(c/H$'
wff&ci28
dQ=mg#(
CW THz
信号的检测
Q0K4_iN)&
1
.超外差式检测器(对于频率稍低而谱线分辨率十分重要的场合)
U&fOsx?"
VrF(0,-Z`3
a
)室温肖特基二极管混频器,目前的一般水平是本振功率
0.5 mW
(单管)或
3
-
5mW
(多管)。辐射计的最小可检测温度是
0.05K
(
500GHz
)或
0.5K
(
2500GHz
),积分时间
1
秒,带宽
1GHz
。
今后应着重于降低其噪声和所需的本振功率。
avR4#bfc
\#(cI
b
)超导体一绝缘体一超导体(
SIS
)结混频器,以及以之为前端的接收机多用在
100
—
700 GHz
的频率范围,最近已推进到
1200 GHz
,并将在
2007
年用于空间飞行(
FIRST
,全称
F
ar
I
nfra
R
ed and
S
ubmillimeter space
T
elescope
;现改称
European Space Agency
’
s Herschel
)
。
{gE19J3
G`9\v=0
c
)热电子测热电阻(
HEB
)混频器,以
Nb
,
NbN
,
NbTiN
,
Al
,
YBCO
等材料制成尺寸为微米量级的微桥,
THz
信号的热效应,使它们有灵敏的响应,响应时间也极快(快声子或电子扩散的机制)。比
SIS
结混频器的工作频率更高。作为混频器使用,电压响应是在皮秒的量级,因此中频可以达到几千兆,甚至
15
千兆(取决于材料、尺寸、冷却机制)。目前工作频率已高达
5THz
,噪声温度约为量子极限的
10
倍左右,本振功率
1
—
100nW
的量级。
s!\uR.
f\Bd lOJ>
热电子测热辐射计
(HEB)
:金属在低温下的热容很小,声子与电子系统是去耦的。外加的辐射只加热电子,其温升可以测出。
|~mi6 lJ6
+$MNG
{emO=@CP
#clPao?r
肖特基二极管混频器室温高灵敏超外差检测技术
KzRw)P
具体的器件
Ni5~Buf
x%ZgLvdp,
2
.直接检测器(对于频率更高但并不需要极高的谱线分辨率的场合)
W;]*&P[[
rpsq.n
a
)室温的直接检测器
,种类很多,如:小面积
GaAs
肖特基二极管用作天线耦合的平方率检测器;直接吸收热量后引起电阻变化的普通铋测热电阻;有温度计和读出电路与辐射吸收器集成在一起的复合测热电阻(铋、碲);高兰泡(充气室内吸收热之后,体积有变化,使镜子偏转,用光放大器测出);声测热电阻(用光声检测器测出气泡受热后压力的变化);微测热电阻(用天线把功率耦合到小的吸热区域);快速量热计;等等。
+Y!9)~f}7X
ti:qOSIDTA
目前,这类直接检测器的标定是很大的问题,响应时间约为秒的量级;灵敏度不高(几微伏)。我们今后的工作应该是:改进和用好已有的器件,使之符合我们的研究的需要
ta>:iQa
/znW$yh o
b
)冷却的直接检测器
,其中,目前已有商品的如:液氦冷却的硅、锗或
InSb
复合测热电阻,响应时间微秒的量级,
4K
时噪声等效功率(
NEP
)约为
10
-13
W
/
√
Hz
的量级,冷到毫度时有很大的改进。不少商品的红外检测器对
THz
也能响应。在冷却的直接检测器方面,还有一些目前没有商品的,如:超导转变边缘测热电阻(超导薄膜条偏置在超导一正常转变的边缘);悬置的微加工的硅条镀以铋,以获得理想的电阻一温度特性,并由此制成阵列;
,}!OJyT
v535LwFW
超导一绝缘一正常金属(
SIN
)隧道结复合测热电阻。这些检测器的
NEP
约为
10
-17
到
10
-18
W
/
√
Hz
的量级。超导热电子测热电阻
(HEB)
也可用于转变边缘检测器,
NEP
约为
10
-20
w
/
√
Hz
的量级。
SRl:+!@.
&qki NS
我们今后的工作应该是:提出新型的
THz
波检测结构或改进国际上虽已着手研究但尚有许多改进余地的器件。
6V= 69}
G:FP9
鼓励研究
THz
信号于物质的相互作用,从中发现新的物理效应,据以研制
THz
信号检测器,注意国际上研究工作的新动向(例如,用高磁场中冷却至
50 mk
的单电子晶体管和量子点,探测入射的
THz
光子)。
u>Z0ug6x
K~A$>0c
研制以超导体-绝缘体-超导体(
SIS
)结混频器、热电子测热电阻(
HEB
)混频器为前级的
THz
波段接收机,实际使用于天文、环境监测登方面。
$oO9N^6yF
Y{X79Rd
6i/x"vl>
J4qFU^
THz
的单光子检测
k zhek >
A KO#$OJE
单电子晶体管和量子点(
@
高磁场
&50 mK)NEP
=
10
-22
W
/
öHz
响应时间:毫秒
AL/q6PWi
r;`6ML[5Vx
优先鼓励研究
THz
信号与物质的相互作用,从中发现新的物理效应,据以研制新型
THz
检测器,注意国际上研究工作的新动向。
.6%-Il
j2T Z`Z?a^
我国南京大学和紫金山天文台也已开展了
THz
检测和接收方面的研究工作,并取得了一定的成果。
huu:z3{=J
5Sd+Cc
THz
检测方面的详细内容也将在专题报告中给出。
@O}%sjC1
}2Y:#{m
8LP L4l
y]5O45E0
六、太赫兹功能器件
+'abAST t
\ajy%$;$}
为了组成
THz
系统,例如
THz
成像和
THz
波谱等,除了
THz
源和检测系统外,其内部连接也是非常重要的,所以需要一些功能器件,如传输系统、谐振系统等。已经提出了很多种不同的传输系统,如:太赫兹金属不锈钢波导,太赫兹铁电聚合物(包层)波导(
PVDF
),太赫兹塑料带状平面波导,太赫兹单模蓝宝石光纤等,但研究发现,简单的直径
0.9mm
的金属导线波导性能可能最好(
Nature 432
,
p377
,
2004
),如图所示。
L]L-000D(
4,m aA
此外光子晶体在
THz
功能器件中可能会有重要的贡献。
>Vr+\c
} h|1H
光子晶体是折射率在空间周期性变化,存在一定光学能带间隙的介质结构,具有一定的光学禁带和通带,对于某些波长是不能透射过。光子晶体的折射率在空间排列的周期是波长量级。光子晶体的材料对工作波段的光的吸收很小。
OWs K>egD
jX^uNmb
虽然光子晶体的理论基础是建立在
Maxwell
方程基础上,而半导体的理论基础是建立在
Schrodinger
方程基础上的,它们分别属于电动力学和量子力学的范畴。但是可以证明:在光子晶体的条件下,由
Maxwell
方程和
Schrodinger
方程,可以得到相同的结果。
^[}^+
'AN3{
如果比较薛定谔方程和波动方程:
<d,Qi.G4
^)&d7cSc
(
薛定谔方程
)
"d'D:>z]%
`7qZ6Z3z@
(
波动方程
)
Rh-e C6P
n?*Fr sZ
以下两式如果成立:
5V&3m@d0aq
WJ$D]7
则由薛定谔方程和波动方程可得到相同的结果。
`}gjfu -'\
1hj']#vBu
由于光子晶体折射率的排列与晶体中原子的排列类似,都具有周期性,分析时都可以引入布洛赫波函数,因而可以得出:当光子晶体中折射率周期为波长量级时可以出现与固体能带理论中的禁带相类似的光学禁带。
0 ;$[
]}2+yK
从发展历史上来看,光子晶体的研究是源自于对光子的两个基本现象的研究(
1987
年同一期
PRL
上发表的
2
篇文章)。
!Q!==*1H
w-?_U7'
Localization of Light
>3V{I'^^-
n7`R+4/s
S.John
,
Phys.Rev.lett.58
,
2486
(
1987
)
.
q.0a0/R
&