[数据处理]CST MWS阻抗仿真问题

最近在仿真一通路阻抗时，发现阻抗分布图并不是一个完整通路的阻抗，好像是端口1（图1）和端口2（图2）的阻抗分布图合成在一起就构成一个完整通路了，请高手帮忙看下！！谢谢！！

图片:port1.JPG

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看不懂描述……

新手进来学习下。

端口1阻抗88，端口2阻抗93；PORT1正常的阻抗分布图应该是：在图1后面80处上升至93就是接上图2那部分，才是整个通路的阻抗分布；但实际仿真出的结果只有图示的这一部分，请帮忙看下原因，谢谢！！

还是不知道你做的是什么东西，也不理解阻抗分布图为什么是你描述的那样，更不理解为什么仿真出来的和你预想的不一样。总而言之，依照你已经提供的信息，以我个人的智商，我猜不出来原因。

    为了更好的说明问题，我再发一个图，图3是我根据仿真情况合成的模拟图。我仿真的是一段通路的阻抗，正常的阻抗分布应该是图3这样的趋势，因为PORT1阻抗为88，PORT2阻抗为93，所以正常的阻抗分布图应该是图3这样的趋势。而实际的结果是PORT1的阻抗只有图3的左边PORT1端，PORT2的阻抗只有图3的右边PORT2端，就是仿真结果没有表现出整个通路的阻抗分布！！再次求助，分析可能的原因，谢谢！！

图片:合成图.JPG

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重复4楼的话，别人不知道你的模型是怎么建立的，你的问题很难回答。所以至少应该描述一下你的模型结构吧？以及仿真相关的参数设置，仿真流程细节，后处理模版的选择等等。最简单的办法就是上传模型文件。

s2-3.rar (2184 K) 下载次数:26 那我发下模型，劳驾版主看下！！

哪位看过模型的高手给我老人家说说看这个模型是什么样的？

哎，我来替你做你该做的事情吧： =:6B`,~C  
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模型截图： i]4nYYS  

图片:Model.JPG

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M^hz<<:
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一个connector性质的器件，导体是Brass金属，外包带损耗的介质材料LCP(Epsilon=3.2)，每个分结构侧面有PEC建模的类似挂钩的东西。 3^$=XrD  
用multipin wavegguide port创建了四个端口，每个端口只设置差分模式……。 tJ8:S@E3,  
仿真频率0 - 10 GHz，边界条件conducting wall。 kkMChe};5  
Transient Solver Accuracy: -20 dB……，Normalized to 100 ohm impedance， 选了Adaptive Mesh Refinement，使用Expert System……。 rQ2TPX<?a  
Global Mesh Properties: 10, 10, 10，Edge refine factor: 5，所有的copper使用local mesh properties: 0.1, 0.1, 0.1……。 8A::q;  
后处理模版调用"TDR from Time Signal"，端口1和2都使用默认设置。 S,avvY.U
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>Y+m54EE  
楼主的问题：理论的“通路”阻抗应该是5楼显示的那张模拟图，实际通过CST MWS后处理计算得到的Port 1的阻抗只有Port 1的部分，不包含Port 2的部分；同样，通过CST MWS后处理计算得到的Port 2的阻抗只有Port 2的部分，不包含Port 1的部分。