[建模]在CST中如何实现材料模型加外接电压的仿真？急求

1、plane wave source得不到S参数的吧。我需要仿真的是：信号源从正面端口入射，反射端口对信号进行反射，求的是S21=SINGNAL OUTPUT：SINGNAL INPUT的曲线。所以不能用PLANE WAVE。 w!20  
2、至少边界条件中的电边界与磁边界设置，具体什么情况下用什么边界，我的确经验不足，设置时只是根据10楼中图的E、K、H所指方向来设置，E为垂直于gap的方向，H为平行于gap的方向。gap是如下图圆圈中的部分（可见全图有9个单元结构，每个结构都有一个gap。）————画得粗陋，见笑~ -/JEKwc  
3、不能用plane wave，要采用两个波导端口以得S参数，一个端口为入射端口PORT1，仿真激光直接打到结构上；另一个端口为反射端口PORT2。此两端口在DS中的显示各为一个端口线。如果因为离散端口而在MWS block里选择"Use differential port"，那么此两端口也会各多一个端口线，又该分别如何联接呢？。。

引用第20楼张宝月于2010-07-16 19:19发表的 : aU +uPP  
1、plane wave source得不到S参数的吧。我需要仿真的是：信号源从正面端口入射，反射端口对信号进行反射，求的是S21=SINGNAL OUTPUT：SINGNAL INPUT的曲线。所以不能用PLANE WAVE。 sfG9R"  
2、至少边界条件中的电边界与磁边界设置，具体什么情况下用什么边界，我的确经验不足，设置时只是根据10楼中图的E、K、H所指方向来设置，E为垂直于gap的方向，H为平行于gap的方向。gap是如下图圆圈中的部分（可见全图有9个单元结构，每个结构都有一个gap。）————画得粗陋，见笑~ L9hL@  
3、不能用plane wave，要采用两个波导端口以得S参数，一个端口为入射端口PORT1，仿真激光直接打到结构上；另一个端口为反射端口PORT2。此两端口在DS中的显示各为一个端口线。如果因为离散端口而在MWS block里选择"Use differential port"，那么此两端口也会各多一个端口线，又该分别如何联接呢？。。 ]nV_K}!w  

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第一条的描述概念上有点儿混乱。“反射端口”是你自己定义的概念吧……？对于二端口网络，S21是transmission而不是reflection，没有反射在里面，S11和S22才是。我估计你想说的是：如果只用一个plane wave source的话，在1D results里面看不到“正常”的S参数，是么？ r_ 9"^Er  
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以我所了解的仿真流程，需要建立入射波的模型中设置了plane wave source后，应该使用field monitor或者probe来查看空间中某点的电磁场特性。所以个人考虑是否可以在port 1的区域设置plane wave source，port 2的区域设置probe？（没使用过plane wave source所以不确定可行性） !pa7]cZ  
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我其实也不是很清楚边界条件的原理，我在建模的时候，对于“接地”的边界，无耗的用electric，有耗的用conducting wall。 %xx;C{g;a  
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对于共模形式的激励端口，确保同一个极性的点都接地就好，比如positive都接external port，negative都接地。（共模激励模式的“共地”） %LdBO1D0  

引用第21楼hefang于2010-07-16 20:12发表的 :
第一条的描述概念上有点儿混乱。“反射端口”是你自己定义的概念吧……？对于二端口网络，S21是transmission而不是reflection，没有反射在里面，S11和S22才是。我估计你想说的是：如果只用一个plane wave source的话，在1D results里面看不到“正常”的S参数，是么？ /SZg34%  
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是的，是透射谱，不是反射谱。所以一定得有S参数的S21。平面波激励不能产生S参数。 oVSq#I4  

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