[建模]在CST中如何实现材料模型加外接电压的仿真？急求

2009的哦。DS有安装的啊，其它都能打开，就是这几个打不开。。 UpgOU.  
其实我自己也是设置的DISCRETE PORT，是用的VOLTAGE，是不是该选用S-PARAMETER呢？还有就是离散端口的位置，有什么特别的要求否？谢谢高人指教~ 9Kqr9U--v  
我觉得在下图中应该设置两个离散端口，一个在A处，一个在B处。我分别用的正负1V的VOLTAGE离散端口来模仿外电路，也不知对不对。 T1x$v,)8x  
您觉得应该在A、B处之间加ONLY ONE离散端口就行了吗？

为什么加不上QQ啊，您的公司名？还想请您传下这三模型给我一下，呃，是否不方便啊

引用第11楼张宝月于2010-07-15 18:44发表的 : ./.E=,j  
2009的哦。DS有安装的啊，其它都能打开，就是这几个打不开。。 'gQm%:qU3r  
其实我自己也是设置的DISCRETE PORT，是用的VOLTAGE，是不是该选用S-PARAMETER呢？还有就是离散端口的位置，有什么特别的要求否？谢谢高人指教~ R?^FO:nM%!  
我觉得在下图中应该设置两个离散端口，一个在A处，一个在B处。我分别用的正负1V的VOLTAGE离散端口来模仿外电路，也不知对不对。 =]"[?a >  
您觉得应该在A、B处之间加ONLY ONE离散端口就行了吗？ "<bL-k*H)  

gTiDV{Ip  
ZH/|L?Q1U  
我机器上的CST2009的算例（还好没删掉）： `s@1'IG;R_  
SRD Pulse Generator：SRD Pulse Generator srd pulse generator.zip (1329 K) 下载次数:9 Pq;1EI  
Patch Antenna：Patch Antenna - Antenna antenna.zip (3113 K) 下载次数:9 、Patch Antenna - Patch patch.zip (509 K) 下载次数:3 l--xq^,`o]  
Balanced Amplifier：Balanced Amplifier Transient Co-Simulation balanced amplifier transient cosim.zip (1321 K) 下载次数:4 ^oaG.)3  
Patch Antenna有两个文件，你看看有什么区别，这个算例我没打开看过。Balanced Amplifier也有两个文件，一个Standard算法，一个Transien Co-Simulation算法。不过Standard的那个文件9 MB多，上传不了。 Jtc?p{  
YW>|gE  
在MWS添加一个或者两个离散端口都可以。 Bxz{rR0XV  
FVL0K(V(  
如果要添加两个，要确保两个离散端口都连接在“共地”（Common Ground）上，变成两个Single-ended discrete ports。对应的在DS里要先使用Mode Converter将两个“独立”的传输线转换成差模、共模模式。你的模型应该是差模输入，因此差模D端接External port，共模C端应该接地；P和N接MWS Block中对应的正负连接点。 cLJ|VD7  
(9'MdH  
相比较来讲可能一个discrete port更简便一些，因为在MWS里就已经是差模输入了。对应在DS里要在MWS Block属性里选择"Use differential ports"，使得DS端口处有两条端口连接线，正负对应实际电路的正负。 } %rF}>$A  
4AUY8Pxp  
在MWS仿真时discrete port默认使用S-Parameter就好，关键在DS中的电路要和图中的电路一致。 :B)w0tVw  

嗯，我要都试试。谢谢您，都不知道该怎么表达我的感谢了。嗯，我会加油把它仿好的，太谢谢啦~~~

不客气。 }1=V`N(  
之前一个月正好研究了Mode Conversion Simulation和Transient Co-Simulation这两个方面，所以有一些经验。 J!b v17H"  
有任何经验或者结果了都欢迎分享！

嗯，好的哦~

差模共模在本MODEL中需要怎么区分和设定啊。。弱弱地请教一下，您看看我这个模型中为什么外加电压对信号没有任何影响呢？加1V和加10V的偏压信号的频率最低点都不会变。 ZUg~8VVe  
C]- !uLy  
我这个模型主要有三层，第一层为GOLD层微结构，第二层为自定义DRUDE模式下的InAs层，第三层为基板，用的是GaAs（NO LOSSY）。第一层金属和第二层介质产成欧姆接触，构成肖特基门。 JA<Hm.V#  
_`Lv@T.  
从微结构正面打入信号，所以设置的波导端口；外加电压电路主要是为了让第二层介质的载流子在金属层结构的GAP处产生变化，从而使得S21曲线发生频移。

我打不开rar格式的文件，把CST文件执行archive操作（可以不保留结果数据），在生成的cst文件上右击->发送到压缩文件夹，再把zip文件上传。

这个应该行的吧，请看一下哦~

我不懂得这方面的技术原理，所以楼主需要跟大家来解释模型的仿真思路，别人大概只能从CST MWS操作的角度给你建议。也希望做这方面研究的牛人们可以多给意见。 "fWm{;  
eGi|S'L'  
关于这个模型，我有这么几个问题： by*v($  
1. 设置两个waveguide ports的目的是什么？看楼主的参数描述，好像是想用plane wave，那么为什么不直接设置成plane wave source呢？ sp&g  
2. 两个discrete face ports是否设置得是正确的？把discrete port完全设置在金属内部是正确的做法么？（我个人不清楚这一点） /9(8ML#E  
3. X和Y方向上的边界条件一个设置为电边界一个设置为磁边界的原因是什么？ g{^(EZ,  
4. 这个模型是要观察什么参数？它的理论预期值是多少？外加电压对该参数的理论影响趋势是什么？ v.{I^=  
YfJQ]tt1  
个人目前的想法： v\Edf;(  
1. 应该可以尝试用一个discrete port跨接在10楼附图中的A、B两点，如果原模型中port 3和port 4的50欧姆端口阻抗是正确的设置的话，那么单个discrete port的端口阻抗设置成100欧姆。（差模激励模式） cBDOA<]r,  
2. 用plane wave source替代两个waveguide ports。（这里我不清楚plane wave source在DS中会如何显示） zD): yEc  
3. DS中的电路模型，在MWS block里选择"Use differential port"，MWS模型里的discrete port在DS中对应的两个连接点连接外界电源。MWS中的plane wave source如果在DS也是显示成两个连接点的话，一个接external port，一个接地。