[求助]关于一维总场散射场的加入问题，我的左边TS边界加入正常，而右边存在反射，不知为何？

描述:计算结构图

图片:1D_UPML.jpg

描述:左边总场散射场加入

图片:PW_Gauss_Ey_200-300.jpg

描述:右边总场散射场，出现小振幅的反向的波

图片:PW_Gauss_Ey_800-1200.jpg

58Fan*fO  
   以上是一维计算结构图以及计算结果示意图 Q0_UBm^f  
{\L /?#  
AVA hS}*t  
k/yoRv%  
=5jX#Dc5.+  
总场散射场的程序段： *s9 +  
-Ug  
/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// d-=/@N!4e  
//Total field - Scattered field formulation -- Incident Hz <OcD[5  
/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// t .&YD x  
void CFDTD_1D::incident_Hz() y#Ao6Od6  
{ x\Bl^1&  
~%QVjzMC  
    Hz[n_TS_xa-1] = Hz[n_TS_xa-1] + dt/(mu_0*mu_r*dx)*Ey_1D[0];    // left :YU_ \EV  
    Hz[n_TS_xb] = Hz[n_TS_xb] - dt/(mu_0*mu_r*dx)*Ey_1D[n_TS_xb - n_TS_xa+1];    //right ^{GnE
qml&  
} _kb $S  
A-&C.g  
/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// 7N/v  
//Total field - Scattered field formulation -- Incident Ey K -!YD}OF  
/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// a8Jn.!  
void CFDTD_1D::incident_Ey() z17x%jXy  
{ pN"d~Z8  
    Ey[n_TS_xa] = Ey[n_TS_xa] + dt/(eps_0*eps_r*dx)*Hz_1D[1];    // left %klC& _g~_  
    Ey[n_TS_xb] = Ey[n_TS_xb] - dt/(eps_0*eps_r*dx)*Hz_1D[n_TS_xb-n_TS_xa+1];    //right $)M8@d  
&C+pen)Z  
} G:QaWqUb  
dw8Ce8W  
/,z4tf  
不知道，错在何处，希望得到大家的指点！！！！！！
eEIa=MB*  
mpBSd+;Z  

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经过这两天的琢磨，我基本解决了这个现象。主要是我将加入的一维波的EH节点位置设置的与主计算区域中的EH节点的位置没统一。 m%Ah]x;  
图示是修改后的走过左右总场散射场的过程。但是在time=551时还是有一点反射毛刺，不知道是不是数值离散固有的结果，这是不是可接受的范围？ Te=[tx~x  

看来问题有时候并不是一件坏事，我有了更深的认识，

“主要是我将加入的一维波的EH节点位置设置的与主计算区域中的EH节点的位置没统一” eEJ8j_G  
问题分析得很好，在FDTD中，节点编号错位是不行

为什么你在计算左边界时，后面只有一项，另一项为零吗？？

跟楼主请教一个问题，右侧源场强度与左侧就是相应长度的时间延长吧? Hi|2z5=V  
这样是否正确？？

这是总场散射场的理论决定的.具体请参看allen talflove 书关于入射场一章有详细介绍。至于你下面的问题，我没理解什么意思？