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我有几个问题了。 pCpj#+|_)  
1）你的模型也是轴向径向等离子体密度均匀的冷等离子体，对吧。 !q7M+j4  
如果是这样的话，那么直接解析求解那个波矢，然后得到电流分布，和用矩量法得到的结果应该是一样的才对。 #2cH.`ty  
因为你模型是同一个，所以结果不应该不同。 )Hev-C"  
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2）矩量法中，唯一使用到等离子体的，就是将等离子体等效为一个带有感性的阻抗。 6E_YQbdy  
但我看你doc文档中的天线内阻抗的表达式和文章里面的又不一样，这是为什么。 SkPv.H0Id  
如果这个不一样的话，那么结果肯定是不同的。 T,H]svN
5p  

因为矩量法的公式我没推导，所以对能不能直接用海伦积分方程我表示一定的怀疑。 $jw!DrE  
看里面的coskz 和 sinkz ， 我很是担心这个k到底是不是真空中的k0。 bBDgyFSI<  
要知道，对于金属天线，不管哪种模型，电磁波在表面传播的大小几乎都是k0。 u' r;-|7  
而等离子体天线则完全不同，它的k与金属中的k0相差甚远。 SJy?
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\kg2pF[V  
所以很多天线里面的公式，几乎都不能直接套到等离子体天线上的。 !_c<j4O  
@AyC0}  
个人建议你先看一下，那个公式怎么一步一步推导出来的。 1"!<e$&$X  
}Y-f+qX*  
你可以参考一下介质天线的一些方程，以及推导结果，我觉得那个相对还比较好些。

主要区别其实是用的积分方程跟文献上的不一样（文献里的是海伦公式）。 -|V@zSKr3  
这两个阻抗公式是出自不同的书，但两个公式最后得出的结果都几乎没有区别。 iRPd=)  
f2yc]I<lr~  
我又将篇文献上的图放大看了一体遍，发现它实际上跟我所做结果的趋势是一致的（图3的c、d两图中的fpe=6.3GHZ、vm=50MHZ以及fpe=2GHZ、vm=50MHZ与铜天线的比较结果）。那么文献上的电流分布是对的吗？（我的方法做出的电流分布的趋势还是跟它一样的） ;qzCoe  
此外，晚上将碰撞频率改大并且将等离子体密度继续改小之后，还是出现了密度越低辐射方向图主瓣越宽的情况。

非常感谢你的热心帮助！ Jbs:}]2  
用上述方法还模拟了一个轴向密度分布不均匀（线性分布）时的方向图（未考虑密度梯度的），与均匀分布的相比，它出现了旁瓣，这是合理的吗？ Qaagi `  
&I d^n  
另外你说的介质天线的一些方程，以及推导结果有哪些具体的书及文献吗？谢谢。

1）如果电流分布趋势是一样的，那么辐射方向图的结果应该也是一样的。因为从表面电流基本上就可以得到辐射方向图了。 {0QA+[Yd&!  
2）碰撞频率变大，等离子体频率变小，就意味了电磁波会更快的进行衰减，辐射方向图会越来越接近点源的辐射方向图。

出现旁瓣，这是有可能的，因为等离子体密度越低，波矢就越大，波长就越短，因而电流分布有可能会出现波腹，这样辐射方向图就会出现旁瓣。 8[y7(Xw  
k}<mmKB  
我的意思是，对于轴向等离子体密度均匀的模型，你完全可以用先求波矢得到的辐射方向图作为标准，矩量法的结果与之进行比较，来验证矩量法的结果准确不准确。 &E9%8Q)r(  
第二，如果你等离子体参数已经设置好，那么结果你可以预先判断出来，到底会不会出现旁瓣。

其实对于绝大部分等离子体天线来说，出现旁瓣的机会都比较少，因为要出现旁瓣，那么天线长度/实际波长 要大于某一个值才行，而对于轴向密度不均匀的等离子体，后面衰减的很厉害，对辐射的贡献就很少。

其实对于绝大部分等离子体天线来说，出现旁瓣的机会都比较少，因为要出现旁瓣，那么天线长度/实际波长 要大于某一个值才行。 /*8"S mte  
Z3Viil:  
是因为激励等离子体柱的信号频率都不高吗？不然天线长度短，信号频率高的话L/lambda比值很容易超过1.2。这时候就会有旁瓣了。

这个说起来比较麻烦，对天线辐射方向图，我不知道你以前有没有做过相关计算。 }oloMtp$  
:+en8^r%  
比如说，天线表面电流分布可以写成I (z) = I0 * (exp (i * (kz - wt)) - exp (i * (k * (2*L - z) - wt))); ~%>ke   
对金属天线 k = k0。 # bP1rQ0
 
对轴向密度均匀等离子天线 k = kr + i *ki -2bu`oD `  
对轴向密度不均匀等离子体天线 k = kr(z) + i * ki(z)。 h_fA  

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你带入不同的数据，很容易可以看出辐射方向图什么时候会出现旁瓣。 k 可以用那个方程解析求解出来。 t13wQ
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qm]k (/w  
所以对频率比较高的信号，因为衰减很快，所以不会出现旁瓣的。