请教:sullivan一维FDTD程序在电介质和真空间的边界吸收条件问题

就是从自由空间入射pulse到常数4的电介质后，pulse在电介质中前进到达问题空间的右边界（KE=200）后，该怎样修改原程序的吸收边界条件才能使得无反射pulse。 hD l+  
原程序的边界条件如下： ]}G(@9  
    ... ... /^0Hi4+\  
   ex[0]    =ex_low_m2;                    /* 左侧真空部分的边界条件，可以吸收 */ `h Y:F(  
     ex_low_m2=ex_low_m1; GYv2^IB:  
     ex_low_m1=ex[1]; '89D62\89  
     @v2kAOw[  
     ex[KE-1]  =ex_high_m2;               /* 右侧电介质部分的边界条件，无法吸收，不知道怎么修改 */ -]PW\}w1  
     ex_high_m2=ex_high_m1; J2H8r 'T  
     ex_high_m1=ex[KE-2]; c-avX  
       ... ... z0Gh |N@)  
在前面一个兄弟上传的 <The FDTD Method   Computation .. G(4:yK0  
D
x Vt  

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你是说你的吸收边界不是真空，而是处于介电常数为4的物质中？ 0$/wH#f  
模型是    介质==真空==介质 ？

感谢gwzhao的回复，其实这个就是sullivan书中第一章的Problem Set 1.4的第三个问题： UP 75}h9  
要让入射进电介质的波在到达右边界时不反射，自由空间的边界吸收条件要怎么样修改，代码怎么改动？ 其实就是电介质中的吸收边界条件。 #ZRQVC;b;  
一维FDTD的划分区域如下： QOcB ]G  
<<@$0R
W  
                                                                                                                <--------生成反射波---------     /Rb`^n#  
<---入射波向左传播无反射，左边界能吸收             入射进电介质的波传播到右边界反射，吸收条件失效 ----->   `\(Fax  
                             \ |                                                                                                   | \ 9L]x9lI;  
                             \ |                                                                                                   | \ yx4B!U  
                             \ |<--*----------真空------------->|<----------介电常数4------------>| \ 2W~,,$ G  
                  (cell 0) |<--*--------------------------计算区域------------------------------->|(cell 200) t+W+f  
                                     ^ (cell 5) ;Q:^|Fw!F  
                                     | k2"Z:\?z  
                                     | J,_I$* _0  
                             pulse入射位置(第5个cell) QR
Oe
+:  
uqnoE;57^  
代码里左边和右边的吸收边界都是采用的相同的方法写的代码如下： +k
d88Fx  
     ex[0]    =ex_low_m2;                  /* 左侧真空部分的边界条件，可以吸收 */ a7)q^;:O  
     ex_low_m2=ex_low_m1; tb/bEy^  
     ex_low_m1=ex[1]; q4|TwRx
~  
     8sx\b  
     ex[KE-1]  =ex_high_m2;              /* 右侧电介质部分的边界条件，无法吸收，不知道怎么修改 */ _hMMm6a|  
     ex_high_m2=ex_high_m1; KaZ*HPe(  
     ex_high_m1=ex[KE-2]; @]Aul9.h  
估计是要修改右侧的吸收边界条件的代码，但是不知道如何下手。 NELQo#kjZ  
本人是新入门，还望大家不吝赐教。

我们一起思考一下，sullivan一维FDTD程序中关于这个有点儿解释，他是将dt设为dx/2，2>1.414，这样一定是满足稳定性条件，后代入一维方程中得到系数1/2参加迭代。 W
Xp=>P[  
加入那几行代码是说，一个网格电磁波要两步才能穿过，因为一个dt只能跑1/2个网格，如果介电常数是4倍，4开方得2，要说还要再慢一倍，这样推理的话，好像你试试加入四步到达右侧是可以的。 Jb#*QJ=  
试试吧，有结果告知一声。

这几天没上网，果然如 464459511 兄弟所说。调整到达的时间步就可以了。谢谢。

四个时间不穿过一个网格，我也改了怎么还是有反射啊  能看一下你怎么改的吗 谢谢

楼主 你改出来了吗

怎么把模型改成真空——介质——真空啊？

    ex[0]      =       ex_low_m2; ,U>g L
TS  
    ex_low_m2  =       ex_low_m1; L$ ]D&f8:  
    ex_low_m1  =       ex[1]; |xQj2?_z*  
s=q\BmG  
    ex[KE-1]   =       ex_high_m4; v6s8 p  
    ex_high_m4 =       ex_high_m3; ]_d(YHYf  
   ex_high_m3 =       ex_high_m2; *X%`MN  
   ex_high_m2 =       ex_high_m1; wIxLr{  
   ex_high_m1 =       ex[KE-2]; 5y=X?hF~)  
rcxV ,<[B  
这样 看行不行···