[互助]二极管器件如何建模仿真S参数

最近采用HSMP3822做3倍频，从100M倍频成为300MHz信号 H^C$2f  
datasheet AV02-1395EN.pdf (323 K) 下载次数:45 Ow4H7sl  
现在没有直接的 S参数文件，需要自己建模仿真。 uiIS4S_  
结构如图 :LEC[</yvl  

图片:模型.jpg

A
s-xO~+  
下载 (4.42 KB) "s5[w+,R  
8 分钟前 B`
<K]ut  
是不是采用ads中的Diode_Model模型 建立2个二极管模型？ -yP_S~\n  
可这两个模型怎么对接呢？糊涂了  3个端口 中间一个接地的 Z1ZjQt#~+  
另外建立二极管Diode_Model模型中，除了Cj0、Is、N、TT、RS需要用到哪几个呢？ 1=Nh<FuQ  
eJwHeG  
%?z8*G]M  
avago的网页上这样给的 wxSJ  
N.@@ebuE  
HSMP-382x Limited APLAC Model b;%>?U`>p  
YP
NG9^Y  
D1 uses the standard SPICE diode model, and is described by Is, N, and TT. Rs in the standard model is replaced by the external network of Rmin, Rmax, and Rvar. The parameters are for a single diode (HSMP-3800). Parameters also apply to the individual diodes within multiple diode configurations. xl4A<  
?."YP[;  
Parameter    unit    description    value R;EdYbiF b  
%#$K P  
Rmax    ohm    maximum r.f. resistance    5000 -{rUE +  
L:E?tR}H  
Rmin    ohm    minimum r.f. resistance    0.35 \RDS~u\d  
X(*MHBd  
K    __    resistance curve fitting exponent    0.767 j0+l-]F-  
]ovb!X_  
A    __    resistance curve fitting exponent    0.00825 UCVdR<<Z  
{<1 ]cP  
L    nH    connection inductance    2  d| OEZx  
(N :vDq'  
C    pF    diode capacitiance at r.f. frequency    0.8 7S]<?>*  
3r-oZ8/n  
Is    A    diode saturation current   .. #cy;((zuB  
T1_>qnSz  

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首先你要看产商说明书上有没有提供器件模型的参数，如果没有那也没办法，建议你把说明书传上来，我帮你看看。 ft><Ql3  
怎么对接那个图上不是画的很清楚吗，按照它的连就是了，然后自己定义端口。画过板的应该都懂，跟画原理图上的封装是一个道理

已经上传了  

谢谢楼主的资料

你这个无法建模，你可以到官方网站看他们是否有提供

楼上 的  我太崇拜你了。。。。。。

这个一般最方便的是看看有没有现成的模型在仿真器里面，比如 ADS里面 -$g~,dIwj  
K*,,j\Q.  
如果遇到没有的，去官网拿参数，也就是 帖子上列出的那些，起码可以找到 datasheet文件 ),Yk53G6c  
.GNyADQp  
然后添加模型，输入参数 ?ILjt?X8  
或者根据参数，自己定义一个spice文件  （看仿真器是否支持直接导入spice模型文件） (4ZO[Ae  
a8Xwz@ M  
最后 用 它进行仿真的时候，要考虑 packaging 的影响 o_k)x3I?  
#QcRN?s  
一般来说 datasheet里面都写有明确的封装信息，自己构建模型的时候要把这个封装考虑进去，这样构建出来的模型才和实际相符 +Q);t,  
{m{nCl)y  
当然，如果datasheet里面给出了 spice等效电路模型的话，基本上里面已经包含了 packaging的参数，这个很容易分辨出来。