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晶体管封装模型仿真的疑问
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晶体管封装模型仿真的疑问
离线
woaijielade
UID :20646
注册:
2008-11-02
登录:
2010-06-16
发帖:
37
等级:
仿真新人
0楼
发表于: 2009-09-23 20:49:15
RT~
bjEm=4FI;
!r*Ogv[
向大家求助!
6{p]cr
0WI3m2i
我将自己的问题简单描述下:用晶体管的design kits和偏置网络已得到想要的静态工作点,问题出现了,我用design kits加偏置网络代替晶体管s2p模型的时候(整个电路已有输入输出匹配网络),再进行直流仿真,这时晶体管的静态工作点也是正确的,但是仿真后的数据却比s2p模型差很多...(比如说增益、输入输出驻波比、反射系数等都差太远了,郁闷...)
+ \AiUY
z tLP {q#
请问这 ..
4=E9$.3a
Y^-faL7*\
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离线
小雙
UID :31503
注册:
2009-05-04
登录:
2011-05-25
发帖:
67
等级:
仿真一级
1楼
发表于: 2009-09-24 09:54:26
偏置没做好,或匹配没做好,或还需要进行相应的参数优化!
共
1
条评分
legendnic
rf币
+10
积极参与
2009-09-27
每天进步一点点!
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