电子学领域的三类混频器

根据所使用的非线性器件的不同，基于电子学的THz混频器可以分为：肖特基势垒混频器、SIS混频器、HEB混频器。 a6WE,4T9  
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“肖特基势垒”是一种量子力学势垒，形成于金属和半导体的界面处。反向偏置电压增加时势垒也增加，正向偏置时势垒减少（或者接近消失）。反向偏置时半导体材料的电子没有足够的能量越过势垒，所以此时没有电流。当正向偏置时，势垒减少直至电子可以穿过它，从半导体流入金属区域。 kb%W3c9HO  
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　　结二极管的微波频段性能的关键取决于它的开关时间，有时也叫开关速度。一般来讲，开关速度越快（即开关时间越短），其工作频率也越高。普通PN结二极管的开关时间主要由半导体内的少数载流子所决定。少数载流子一般处在静止或者“储能”状态，所以不会由于电势的变化很轻易地快速移动。但是多数载流子可移动性更强，因此可以迅速地响应电场的变化。而肖特基二极管就是靠多数载流子来完成开关操作，所以它工作时可以达到很高的开关速度，很多型号可以工作到微波频段。 )>[(HxvfJU  
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　　工作速度也是电路分布参数如RLC（图（b））的函数。工作到微波频段的肖特基二极管，其串联阻值为3～10Ω，电容为1μF，串联导线电感为1nH或者更小。 8\a)}k~4  
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　　肖特基二极管为一个整流元件，广泛应用于混频器和检波电路中。双平衡混频器（DBM）电路通常是由一组匹配的肖特基二极管组成。双平衡混频器可用于超外差接收和产生抑制载波的双边带信号，还可以用于相敏检波器。许多双平衡混频器工作到微波频谱的低端。

SIS混频作用是通过由超导体—隔离体—超导体(SIS)构成的隧道结完成，在性能上可同通常的Schottky二极管亚谐波混频器媲美。

SIS混频器在常温下性能不如肖特基二极管混频器，但是在低温情况下要比SBD混频器性能好

有没有人研究，设计光学混频的呢？

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