一个关于功率放大器 的问题

在小信号放大中，漏极是用一个电阻电。在晶体管导通时，电源电压加载到R上。在功率放大器中R被RFC代替。我想问：此时当晶体管导通时，电源和晶体管构成的直流 .. ^/"[jq3F  
QGC%, F"+  

未注册仅能浏览部分内容，查看全部内容及附件请先 登录 或 注册

对于DC直流，RFC就是通路，它主要是隔绝RF信号，这个集电极的电阻应该还是需要的

谢谢楼上的兄弟，不过我看的资料里面，在功率放大器里面，用来RFC后，就没用R了，这真是我困惑的地方，不知道电源的电压加载到什么地方去了~

一般RF電路上加了RFC後,還是會加電阻R,除了決定偏壓點外,另一個作用是做為溫度負回授補償

功率放大器中，从能量的角度考虑，似乎也不会加R，因为当晶体管导通时，如果漏极R存在，它的能耗是很大的，这也是不希望看到的~

上面說的沒有錯,是不會加在D極.

你所说的是等效电路或模型问题，实际设计中，不需要考虑这些的，实际设计时，不管是小信号（低噪声放大器），或者是大信号（功率放大器），都是根据放大管的S参数进行设计的，而S参数是每一个放大管所必须提供的。你所说的是等效电路或者模型，是根据S参数模拟出来的。

我主要困惑的地方在于，FET导通时，电源电压VDD和FET构成的直流通路中电压的分配关系。如果和S参数有关的话，还望楼上的兄弟指点一下哦~~

VDD,Id還同輸入功率Pin(大功率)都跟S參數有關,那就是為什麼有些設計用snp有些要用到大信號模型才可以

每一个FET管都有一个完整的S参数表，这个S参数表包括不同频率时的S参数，同时也包括不同电压和电流下的S参数，也就是不同的工作状态时的S参数，也就是说，在不同的工作状态（不同的工作电压和电流）下，其S参数是不同的，所以在设计时，选定工作状态后，就可以根据该状态下的S参数进行设计。