[已解决]gwzhao及各位高手，请教

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尖导体，当电压达到电晕电压时，发生电晕，电晕放电的电磁辐射场用FDTD 计算有什么好的建议吗？ NYPjN9L  
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源的设置，辐射场的计算等！ d
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当电压到达电离电位时，击穿，出现电晕放电。 2bTM0-  
但电晕放电还是蛮复杂的，特别是前期不稳定时，我不知道你的想法和前提是什么。 6{2 9cX.  
比如 M1XzA `*  
1）你的源是直流高压，还是射频信号？ 源不一样，后面结果也完全不同。 *YWk.  
2）电晕放电这个过程，你是想独立用另一个程序算出来，把结果当作源，然后用FDTD模拟它的辐射电磁场，还是直接加到电磁场的计算中。 ,h'omU7  
合在一起的话，它的方程，递推公式你要先写好。 Uy$?B"Z  
3）你想要的结果是什么，是它产生的辐射场，还是电磁场对导体的影响？ i$z*~SuM#  
4）被电离的那部分气体，你准备用什么方式去描述它？最简单的是当作一小段金属，复杂点的是一定形状和电子密度分布的等离子体，就是这个形状你想怎么确定？ 0|~3\e/QV  
... 34qfP{9!N  
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    要想模拟这个，首先要做好电晕这部分的理论和一些计算，这样才能建立一个对自己想要的结果所能接受的模型。 I(+%`{Wv  
不知道你的要求和前提，很难说哪样做才是对的。 n)rSgzI  
{Pe+d3Eoo  
    单纯电晕放电，好像以前用流体模拟的比较多点吧。

1）电晕放电体，是直流高压充电，当电压到电晕门限电压时候，产生电晕放电，直流激励是没有辐射场吧，辐射场是由电晕放电时产生的脉冲电流激励的，那么就计算在脉冲电流的作用下的辐射场； G!w?\-  
2）通过我前面的调研和分析，可以等效为脉冲电流注入导体后，产生的辐射场；
IoWK 8x  
3）要产生的辐射场，先不考虑对导体的影响； X8(Ws
N  
4）你关于等离子体的建议很好，这部分可以将电晕晕光部分作为等离子体来考虑，但其辐射电磁场怎么算？这块我没有研究过。 Ml9  
u$mp%d8  
总之，我目前想的是电晕脉冲电流注入线导体后产生辐射的FDTD计算，就要其辐射。 i UW.$1l  
a9TKp$LP`  
对FDTD计算辐射这块，我刚接触，能推荐或赐教几个计算辐射的例子？ go5l<:9  
?a` $Y>?h  
关于离子辐射，也请赐教！ -P=Hp/ELi  
... XN~r d,MZ%  
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还是要看你想要的模型了，从你第2条说的来看，你把放电和辐射两部分完全分离开了，只是想研究脉冲电流的辐射场。 @CU~3Md*  
如果只是这样的话，就和普通的加了脉冲源的柱形天线没有什么区别啊。我不太了解这么做的价值和意义。 DRw;.it2  
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FDTD方面的书籍很多，你可以看看经典的葛德彪的那本 FDTD书，里面讲的还是比较详细的。

恩，有那本书，不太好理解，是初学。 X0"f>.Lg  
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有没有这方面的源程序呢？想对着别人的源程序编！感谢！  {!9i8T  
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我参考了大部分文献，才出来这样的等效，就是脉冲源激励的导体！

你如果仅仅是想求解天线的辐射的话，个人觉得还不如用数值计算的方法了，这样还快点。 @Y>3-,o,S  
你用FDTD，又要涉及到吸收边界，连接边界，近外场转换。。。，费时比较多。