登 录
註 冊
论坛
微波仿真网
注册
登录论坛可查看更多信息
微波仿真论坛
>
Keysight EEsof 专区
>
ADS
>
关于后仿出现的问题
发帖
回复
888
阅读
1
回复
[
原创
]
关于后仿出现的问题
离线
caomin
UID :3892
注册:
2007-07-16
登录:
2011-02-12
发帖:
21
等级:
仿真新人
0楼
发表于: 2009-01-04 17:14:05
我设计的LNA前仿真性能很好,用MESFET的管子,偏置电阻分别为10k(gate)和200 (drain)
0h:G4
但是用co-simulation仿真后,DC显示整个偏置以及匹配微带线处的电流,电压相对前仿提高了近1000倍,没办法我只好把10k变为10,谁知道出现这种现在的原因呢?? 我的电路形式大概是
hBoP=X.~
| |
6oA~J]<
| | 偏置
2C{/`N
--------------|=----------------
/u?9S/
| | & ..
L"^.0*X/d
}Eb]9c\
未注册仅能浏览
部分内容
,查看
全部内容及附件
请先
登录
或
注册
共
条评分
离线
caomin
UID :3892
注册:
2007-07-16
登录:
2011-02-12
发帖:
21
等级:
仿真新人
1楼
发表于: 2009-01-04 19:57:38
偏置偏移了一些,应该是在FET两边
共
条评分
发帖
回复