[讨论]一阶与二阶边界吸收的差异

离线jylshm

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0楼发表于: 2008-11-14 15:30:19

请问大家采用mur 吸收边界条件方法，采用一阶和二阶有不同？？哪个更好呢，是否是阶数越高，边界吸收效果越 ..

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离线jylshm

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1楼发表于: 2008-11-14 15:33:22

离线cem-uestc

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2楼发表于: 2008-11-14 15:41:22

这个在书上有详细的分析，当然二阶吸收的效果最好，吸收角度更宽一些
但不是阶数越高越好，KK. Mei教授的吸收边界到达一定的时候，就不能提高了，还是PML解决了这个问题

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gwzhao

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2008-11-14

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离线casey

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3楼发表于: 2008-11-14 16:48:51

Mur二阶，现在都用得很少了.....

还是PML吧

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2008-11-14

Casey

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方恨少

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4楼发表于: 2008-11-16 15:48:45

目前，吸收边界条件的方法主要有两种：
一种是在截断边界外引入吸收材料层，电磁波透过截断边界进入吸收材料层后被衰减掉，代表为PML。这种方法构造复杂，内存需求较大，但在很大的入射角度上吸收效果较好。

另一种是从外行波方程出发构造的透射边界条件，如Mur边界条件，这种类型的透射边界条件具有构造简单，基本上不额外消耗内存等特点。Mur条件在截断面离开散射体较远时才能获得比较好的吸收效果，而且在某些时候二阶条件的吸收效果不如一阶的好,使用高阶形式时需要处理角点和棱，而通常角点和棱很难精确处理。

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2008-11-16

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