[分享]光刻胶去胶难度渐增

　　无论湿法去胶还是干法去胶，光刻胶去除工艺都需要在低k材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶和其残余物去除效果之间取得平衡。 ,XNz.+Ov  
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　　对于32 nm及更高技术节点，超浅结（USJ）工艺中的清洗成为最关键的前道（FEOL）清洗工艺，对此国际半导体蓝图（ITRS）要求每次清洗所造成的硅材料损失小于0.3?。要满足这样苛刻的要求对于高剂量离子注入后的去胶工艺而言是相当困难的。对于使用超低k电介质绝缘材料的双大马士革结构，当介电常数（k 值）小于2.5，去胶工艺变得困难，常规使用的湿法或干法去胶工艺都无法同时满足清洗和k值的要求。因此，无论是对于前道还是后道（BEOL）清洗工艺，业界都需要从各个角度 .. (Y%pk76d  
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看来低硅材料腐蚀的清洗工艺至关重要，是决定去胶工艺是否成功的关键

光刻胶去胶工艺应该是化学工程的范畴。 +jPJv[W  

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工艺的发展总会带动IC的发展，希望光刻胶去胶工艺不会成为IC制造的瓶颈。

现在的低K材料大多都是有机材料,类似 光阻,因此无论干法还是湿法去光阻都会对其有蚀刻

学习了学习了学习了学习了