[正在讨论]激光与蚀刻工艺区别有哪些?

化学蚀刻制作过去曾因低成本、良好耐磨性和使用寿命受到广泛使用，但是却没有良好的印刷能力和平滑的细间距和超细间距元件的印刷能力。 pdFO!A_t  
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激光切割制作与化学蚀刻相比较能更好得完成细间距和超细间距的开口，但是仍然存在一些表面粗糙和难以达到过于细间距元件良好的印刷效果，例如过细间距BGA元件。 <7)sS<I  
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　　最近的两年多以来，65nm半节距（HP）光刻，传统上叫做45nm节点，在最先进的晶圆厂内十分活跃。其间出现了多种光刻技术选择方案，然而大多数逻辑和存储器公司最终决定，在最具挑战性的关键层中结合使用ArF干法、ArF浸没式和/或一些双重硬掩膜方法。

台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。 　　 J@$~q}iG  
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该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始量产的28nm工艺仍将采用193nm波长的液浸ArF曝光技术。而在接下来的22nm工艺中，将讨论使用以下三个候选方案。（1）193nm波长的液浸ArF曝光技术，（2）EUV曝光技术（NA0.25），（3）电子束直描技术。 　　 X)~wB7_0G  
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不过，到15nm工艺时，将无法使用193nm波长的液浸ArF曝光技术。TSMC表示，15nm工艺将考虑选用电子束直写或EUV曝光技术。

化学蚀刻模板：通过在金属箔上涂抗蚀保护剂，用销钉定位感光工具将图形曝光在金属箔两面，然后使用双面工艺同时从两面腐蚀金属箔，在钢片上形成开孔。 =,(TP  
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激光切割模板：直接从客户的原始Gerber数据产生，模板制作有良好的位置精度和可再生产性，激光技术是唯一允许现有的模板进行返工的工艺。激光切割精度比蚀刻的要高，激光切割开口孔壁是有斜坡的，更有利于锡膏的释放。

目前国内应用于陶瓷薄膜电路的精细加工已趋于成熟，一般可加工75、95、96、99氧化铝陶瓷，氮化铝、碳化硅、金属化陶瓷、覆金属陶瓷板等 r0XEB,}  
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最窄线宽3um 最小孔径30um 最大加工精度≤10um 平台重复定位精度＜3um -^xbd_'  
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加工边缘无毛刺 光洁度高 热影响区域极小 @&ZQDi  
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陶瓷加工设备有：紫外激光设备、光纤激光设备、皮秒激光设备、纳秒绿光加工设备 5G f@n/M"  
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我部可提供激光加工设备和大、中、小批量代加工服务。 S<"Fp1#"l  
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附件为以往激光加工陶瓷样品。有意者可联系155162457@qq.com.cn   13419504901 vQljxRtW  
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