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[资料]单片三维芯片垂直 MOSFET 和电热分析(PDF下载)

智者不锐，慧者不傲。

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0楼发表于: 2022-03-22 05:15:35

[post]在本文中，针对基于绝缘体上硅 (SOI) 的单片 3-D IC 提出了一种基于氧化通孔 (TOV) 技术的创新垂直 MOSFET。对所提出的垂直 MOSFET 进行了数值研究，发现SOI可以有效降低寄生电容、漏电流、功耗，以及抑制基板的脉冲电流干扰。

[url]https://www.mdp ..

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共4条评分，技术分+4 ，rf币+14

rocketsci	技术分 +2	优秀资料	05-18
rficdesign	技术分 +2	优秀资料	2022-10-10
rocketsci	rf币 +6	学习一下	2022-03-28
faradynamics	rf币 +8	感谢您提供的资料，期待您继续分享！	2022-03-23