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CST 薄膜电阻仿真

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0楼发表于: 2020-09-28 21:35:24

求大神们帮帮忙吧！我在用CST仿真薄膜电阻的时候，EMS和MWS得到的结果完全不同
我的电阻模型是3.2mm*1.6mm*46.23nm的薄膜电阻，电导率是9.251E5S/m的镍铬薄膜。
在EMS仿真时，将电阻用coil segment from solid创建成线圈，在0-30MHz时的仿真结果如下，与计算值基本一致。
[attachment=96987][attachment=96988]

但是用WMS想仿真S参数时，却得到完全不同的结果，差距特别大。薄膜材料建模选用的是
[attachment=96992]

模型建的是
[attachment=96989]

仿真得到的S参数和Z参数是
[attachment=96990][attachment=96991]

我的应用场景 ..

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离线zhangdaxia

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1楼发表于: 2020-09-28 21:38:48

自己顶一个

离线catcos

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2楼发表于: 2020-09-29 09:07:36

搭楼主的帖子请教一个相似的问题
使用HFSS仿真4GHz频点微带传输线，5um的铜层表面加一层电导率3E5S/m，厚度0.1um的金属薄膜。未加薄膜时天线传输损耗0.17dB，加薄膜结构后，直接设置材料计算得出传输损耗1dB，设置阻抗边界条件传输损耗0.5dB，两个结果都和实测结果不符，而且考虑到厚度如此之薄，对趋肤深度和损耗影响应该没有那么大。
自己猜测应该是边界条件设置不对，或者HFSS对金属薄膜层的计算有别的需要注意地方，请教一下，谢谢

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