关于变容二极管的外接电压与S参数的问题

离线ssssdlh

UID ：135679

注册：2020-03-03
登录：2022-02-28
发帖：2
等级：旁观者

0楼发表于: 2020-03-03 23:52:11

为什么我改变变容二极管的外接电压，得到的S11随频率的变化基本是不变的呢，按理来说S11应该是随频率的变化 ..

未注册仅能浏览部分内容，查看全部内容及附件请先登录或注册

离线haoqing

UID ：119381

注册：2015-12-25
登录：2025-09-28
发帖：3078
等级：八级仿真大师

1楼发表于: 2020-03-04 07:19:27

C1和L1是分布参数，小是应该的，我说的是二极管模型参数，频率变换小可能看不到明显变换，从C1和L1看，你选的二极管频率太高了，连接线等外围电路要考虑，

楼主留言：

前辈您好，这种情况只能换二极管了么

离线foxman

无衣师尹_无QQ、也无微信。

UID ：20617

注册：2008-11-02
登录：2025-04-23
发帖：2477
等级：九级仿真大师

2楼发表于: 2020-03-04 08:52:04

上端的微带接地设计(电抗)若是远小于下方的变容二极管? 那么你所看见的S11 路径是在上方，而非下方。

楼主留言：

前辈您好，是这样，上端的微带线是lambda/4终端短路微带线，电抗看进去应该是无穷大吧。我曾经试过取消这段微带线，还是一样的问题。

横当世为绝巅，纵往来成唯一。

离线foxman

无衣师尹_无QQ、也无微信。

UID ：20617

注册：2008-11-02
登录：2025-04-23
发帖：2477
等级：九级仿真大师

3楼发表于: 2020-03-05 17:41:28

前辈?? 不敢当! 我暂且先提问三个问题 :
1、Diode Model=DIODEM1中的这个DIODEM1_spice model parameter，你建置了吗?
2、DC路径如果穿越了Diode 流向P_1 或者 Term2 你的ADS不会报错吗?
3、仿真控件 LSSP或是HB你是如何设置的?
**先思考一下，你要做的是线性仿真还是非线性仿真? 控件与模型是非常不同的! 附件是非线性的仿真，虽然它做的是Detector Diode但你如果够灵活的话，可以稍改一下就成了Varator Diode。
请注意文内对控件内的参数设置--他的意图是什么? 搞懂了你就出师了

AN1156.pdf (63 K) 下载次数:20

楼主留言：

前辈您好，关于您的几个问题，我在这给您一一答复： DrC4oxS 1
1.内建了。按照厂商提供的模型进行了设置。 |Q@4F&k
2.没有报错，能正常得到结果。 BwEO2a{
3.我设置LSSP和HB的时候，只修改了Freq里的和Sweep里的那些需要改变的值。 SdeKRZ{o
谢谢您的资料！我会好好看的！另外，我想要做的是非线性仿真

横当世为绝巅，纵往来成唯一。

离线whynot910

UID ：36184

注册：2009-06-28
登录：2025-09-30
发帖：17499
等级：RFEDA终级会员

4楼发表于: 2020-07-03 23:23:16

3楼大师总结的非常到位啊

离线322004010020

UID ：104959

注册：2013-03-03
登录：2024-03-24
发帖：855
等级：积极交流五级

5楼发表于: 2024-03-24 18:25:17

3楼大师说得很透彻

发帖回复