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[第六课]第六课激励类型和求解器。

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0楼发表于: 2018-04-29 21:25:58

1、传统低版本V15以下的激励类型和求解器。
HFSS中定义了多种激励方式:
(1).波端口激励（Wave Port）默认情况下， HFSS 中所有三维物体和背景相连的界面都是理想导体边界，没有能量可以进出，
波端口设置在这样的面上，提供一个能量流进 / 流出的窗口。波端口激励方式常用于波导结构、带状
线结构以及共面波导结构等模型的仿真计算。与背景相接触的端口，激励方式一般都设置为波端口激
励。
(2).集总端口激励（Lumped Port）集总端口激励和波端口激励是 HFSS 中最常用的两种激励方式。集总端口类似于传统的波端口，
与波端口不同的是集总端口可以设置在物体模型内部，且用户需要设定端口阻抗；集总端口直接在端
口处计算 S 参数，设定的端口阻抗即为集总端口上 S 参数的参考阻抗；另外，集总端口不计算端口处
的传播常数 γ ，因此根据式（ 5-3-5 ）可知，集总端口无法进行端口平移操作。集总端口常用于微带线
结构。
(3).Floquet端口激励（Floquet Port）Floquet 端口基于 Floquet 模式进行场求解，
用于二维平面周期性结构的仿真设计，如平面相控阵列和频率选择表面等类型的问题。与波端口的求
解方式类似， Floquet 端口求解的反射和传输系数能够以 S 参数的形式显示；使用 Floquet 端口激励并
结合周期性边界，能够像传统的波导端口激励一样轻松地分析周期性结构的电磁特性，从而避免了场
求解器复杂的后处理过程。此外， Floquet 端口允许用户指定端口处入射波的斜入射角和极化方式，
并从求解结果中选择所关心的极化分量。
(4).入射波激励（Incident Wave）入射波激励（ Incident Wave ）是用户设置的朝某一特定方向传播的电磁波，其等相位面与传播方
向垂直；入射波照射到器件表面，和器件表面的夹角称为入射角。入射波激励常用于雷达反射截面（ RCS ）问题的计算。 HFSS 最新版本允许用户分配 7 种不同类型的入射波激励.
(5).电压源激励（Voltage Source）电压源激励（ Voltage ⋯）定义在两层导体之间的平面上，用理想电压源来表示该平面上的电场激励。定义电压源激励时，需要设置的参数有电压的幅度、相位和电场的方向.
(6).电流源激励（Current Source）流源激励（ Current ⋯）定义于导体表面或者导体表面的缝隙上，需要设定的参数有导体表面.
缝隙的电流幅度、相位和方向
(7).磁偏置激励（Magnetic Bias）当创建一个铁氧体材料时，需要通过设置磁偏置激励（ Magnetic Bias ⋯）来定义网格的内部偏置
场；该偏置场使铁氧体中的磁性偶极子规则排列，产生一个非零的磁矩。如果应用的偏置场是均匀的，张量坐标系可以通过旋转全局坐标系来设置；如果应用的偏置场是非均匀的，不允许旋转全局坐标来设置张量坐标系。均匀偏置场的参数可以由 HFSS 直接输入，而非均匀偏置场的参数需要从其他的静磁求解器（如 Ansoft Maxwell 3D 软件）导入。
求解器有以下3种：
（1）模式驱动求解（Driven Modal）：计算以模式为基础的S参数.根据波导模式的入射和反射功率表示S参数矩阵的解。
（2）终端驱动求解（Driven Terminal）：计算以终端为基础的多导体传输线端口的S参数.此时,根据传输线终端的电压和电流表示S参数矩阵的解。
（3）本征模求解（Eigenmode）：计算某一结构的本征模式或谐振.本征模解算器可以求出该结构的谐振频率以及这些谐振频率下的场模式!
2、哪些是V18中新增的激励类型和新的求解 ..

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