[第六课]第六课 熟悉HFSS的激励的类型和设置

一、激励方式概述 6<7
6H  
’低版本HFSS 中定义了多种激励方式，主要有波端口 jeUUa-zR3  
激励（Wave Port）、集总端口激励（Lumped Port）、Floquet 端口激励（Floquet Port）、入 aHzHvl  
射波激励（Incident Wave）、电压源激励（Voltage Source）、电流源激励（Current Source） wq!iV |  
和磁偏置激励（Magnetic Bias） K%5"u'  
V18版本多了linked field 激励方式，如下图1所示： jM)C4ii.-$  

图片:无标题.png

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A!i q->+  
f58?5(Dc|  
二、常用激励方式介绍 @OpNHQat9  
5 `/< v^  
1、波端口激励 zg)sd1@  
默认情况下，HFSS 中与背景相连的物体表面都默认设置为理想导体边界，没有能量可 @R|'X  
以进出，波端口设置在这样的面上，提供一个能量流进/流出的窗口。波端口激励方式常用于 ;q>9W,jy  
波导结构、带状线结构以及共面波导结构等模型的仿真计算。与背景相接触的端口，激励方 z(y*hazK  
式一般都设置为波端口激励。 :mcYZPX#  
qQ]]~F  
波端口四周默认的边界条件是理想导体边界，因此对于波导或同轴线这类横截面闭合的 %/%UX{8R  
器件，端口截面四周都是导体，波端口直接定义在其终端横截面上即可。而对于微带线、带 WYcA8X/  
状线、共面波导等开放或半开放结构的传输线，电磁场并不完全束缚在导体和参考地之间， %kshQ%P)?  
部分电磁能量会辐射到传输线四周的空气和介质中。此时设置的波端口需要 ay )/q5  
有足够大的尺寸，以避免电场耦合到波端口边缘上，影响传输线的特性，进而影响到计算的 q8P.,%   
准确性 *Mc7f?H  
9LJZ-/Wq  
对于微带线电路，波端口的下边缘必须与参考地重合。假设微带线的线宽为w，介质层 ?#A]{l  
厚度为h，则波端口的高度一般设置为6～10h；当w≥h 时，波端口的宽度一般设置为10w， ,M5}4E7L%s  
当w < h 时，波端口的宽度一般设置5w 或者3～4h。 EbNd=Z'J  
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对于带状线电路，波端口的上下边缘必须与参考地重合。假设微带线的线宽为 w，介质 NQHz<3S[  
层厚度为h，端口左右两侧的宽度在w≥h 时一般设置为8w，在w<h 时一般设置5w 或者3～ l! bv^  
4h。 2BXy<BM @  
2、集总端口激励 _i0kc,*C\  
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集总端口类似于传统的 !U%T&?E l  
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