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[第六课]第六课

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0楼发表于: 2018-04-10 21:22:02

在HFSS中，激励是一种定义在三维物体表面，或者二维物体上的激励源，这种激励可以是电磁场，电压源，或者电荷源，HFSS中定义了多种激励方式，主要有
波端口激励（Wave Port）
集总端口激励（Lumped Port）
Floquet端口激励（Floquet Port）
入射波激励（Incident Wave）
电压源激励（Voltage Source）
磁偏置激励（Magnetic Bias）
所有的激励方式都可以用来计算场分布
但是只有波端口激励（Wave Port），集总端口激励（Lumped Port），Floquet端口激励（Floquet Port）可以用来计算S参数。

本课任务：
1、传统低版本V15以下的激励类型和求解器。
波端口激励（Wave Port）：默认情况下，HFSS 中与背景相连的物体表面都默认设置为理想导体边界，没有能量可以进出，波端口设置在这样的面上，提供一个能量流进/流出的窗口。波端口激励方式常用于波导结构、带状线结构以及共面波导结构等模型的仿真计算。与背景相接触的端口，激励方式一般都设置为波端口激励。
集总端口激励（Lumped Port）：集总端口类似于传统的波端口，与波端口不同的是集总端口可以设置在物体模型内部，且用户需要设定端口阻抗；集总端口直接在端口处计算 S 参数，设定的端口阻抗即为集总端口上 S 参数的参考阻抗；另外，集总端口不计算端口处的传播常数，因此集总端口无法进行端口平移操作。集总端口常用于微带线结构。
Floquet 端口激励（Floquet Port）：Floquet 端口基于 Floquet 模式进行场求解，用于二维平面周期性结构的仿真设计，如平面相控阵列和频率选择表面等类型的问题。与波端口的求解方式类似，Floquet 端口求解的反射和传输系数能够以 S 参数的形式显示；使用 Floquet 端口激励并结合周期性边界，能够像传统的波导端口激励一样轻松地分析周期性结构的电磁特性，从而避免了场求解器复杂的后处理过程。此外，Floquet 端口允许用户指定端口处入射波的斜入射角和极化方式，然后从求解结果中选择所关心的极化分量。
求解器：
模式驱动求解（Driven Modal）：计算以模式为基础的S参数.根据波导模式的入射和反射功率表示S参数矩阵的解!----个人认为波导,天线等用这个模式多!(不是绝对)
终端驱动求解（Driven Terminal）：计算以终端为基础的多导体传输线端口的S参数.此时,根据传输线终端的电压和电流表示S参数矩阵的解!----微带类用这个比较多!
本征模求解（Eigenmode）：计算某一结构的本征模式或谐振.本征模解算器可以求出该结构的谐振频率以及这些谐振频率下的场模式!
V15新增了HFSS-IE求解器和HFSS-FEBI求解器
HFSS-IE求解器综述：
HFSS-IE的全称是积分方程法求解器，它是一个基于全波积分方程的电磁场求解器，该求解器采用的是面网格，求解的导体和介质模型表面的电流，由于HFSS-IE不需要另外绘制空气盒子并对其划分网格和计算，因此可以高效求解开发空间的辐射和散射问题，特别适合于计算大尺寸的开放域问题。
HFSS-FEBI求解器综述：
HFSS-FEBI的全称是有限元-积分方程混合算法求解器，它是基于有限元算法和全波积分方程算法的一个混合求解引擎，有限元法擅长求解具有复杂结构、介质材料和复杂激励的问题。而积分方程法擅长求解大的开放空间问题。FEBI求解器有效地结合了两种方法的优点，在物体内部精细结构体内采用FEM求解，在物理表面采用IE求解，这样的好处就是在保证结果精度的同时可以大幅度的缩减求解空间，特别适合于计算带介质腔的电大尺寸的开放域问题，如带天线带天线罩的一体化仿真。
2、哪些是V18中新增的激励类型和新的求解器。
高版本加入了Transient和Characteristic Mode类型。
HFSS时域瞬态求解器(HFSS Transient)：HFSS时域 ..

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