[第五课]第五课

1. 理想电边界(Perfect-E) K~$o2a e  
  理想电边界即理想导体边界.电荷可在其中自由移动.边界内电场为0,边界上可存在面电荷,面电流,从而使外界电场分量垂直与边界,磁场方向平行与边界. 在hfss design中任何与背景相邻接的部分会被默认为Perfect-E边界（outer）  对于矩形波导,若将波导终端端面设置为Perfect-E, 由于波导内电场平行于端面,在边界处被置0,即入射波与反射波在端面处摸值相等,相位相反,叠加为0,由于V是对电场强度的积分,则端面处电压为0,相当与短路,vswr趋于无穷大. e"en ma\_  
2．理想磁边界（Perfect-H）     Q7]:vs)%  
  理想磁边界即理想磁导体，用电磁场理论中的磁荷模型进行分析即磁荷可以在理想磁导体自由移动，理想磁导体中磁场为0，边界上可聚集面磁荷，面磁流，从而使磁场方向垂直于边界。电场方向与边界相切。       对应于矩形波导终端Perfect-H边界使得磁场垂直于边界，置切向磁场为0，由于电流是切向磁场的积分，故边界使电流为0，而切向电场存在，负载处电压不为0。故LZ趋向于无穷，vswr趋向于无穷，相当于终端开路。      以下是对这一过程仿真。波导参数与上例中完全相同。端面边界设置为Perfect-H. 从图2-1中可看出端面处磁场垂直于端面，切向磁场分量为0。 $?p^ m`t_  
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3.辐射边界（radiation boundry）  现实中电磁波在无界的自由空间中传播，而计算机仿真时只能对有限空间进行分析，因此hfss设计了radiation boundry对无限的自由空间进行模拟。辐射边界又指吸收边界（不同于pml）系统在辐射边界处吸收来波，本质上将边界扩展到无限远，达到对自由空间的模拟。在design中包含辐射边界时，远场（far field）将会自动作为仿真的一部分进行。    根据辐射边界的原理，如果把自由空间等 .. s]Z/0:`  
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