[第七课]第七课学习心得

一、激励 ?L6pB]l8b  
两种设置途径:1、菜单栏-HFSS-Excitations-Assign-(激励名称);2、三维模型窗口-Assign Excitation-(激励名称) vvF]g.,  
Ⅰ波端口激励(Wave Port) pQk@ +r  
1．模式驱动求解类型下波端口的设置 {`V ^V_  
选中波导端口面-两种途径(Wave Port)-一直点击Naxt-选中New Line-完成 U3|9a8^H  
2、终端驱动求解类型下波端口的设置 newURb,-!  
选中新建矩形面-两种途径(Wave Port)-在对话框里移动参考到Reference Conductors-完成 ;Mz7emt  
Ⅱ集总端口激励（Lumped VJgYXPE `  
Port） 7Jn%c<s  
1、模式驱动求解类型下波端口的设置 )pG*_q  
选中矩形-两种途径（Lumped c.}#.-b8  
Port)-对框框中设置参数-完成 =$#=w?~%  
2．终端驱动求解类型下集总端口的设置 U&gI_z[  
选中矩形面-两种途径（Lumped Port）-把参考的移到Reference Conductor-完成 ,=dc-%J  
ⅢFloquet 端口激励（Floquet Port) [I=1   
Floquet 端口基于 Floquet 模式进行 dg4q+  
场求解，用于二维平面周期性结构的仿真设计，如平面相控阵列和频率选择表面等类型的问题。与波端口的求解方式类似，Floquet 端口求解的反射和传输系数能够以 S 参数的形式显示；使用 Floquet 端口激励并结合周期性边界，能够像传统的波导端口激励一样轻松地分析周期性结构的电磁特性，从而避免了场求解器复杂的后处理过程 [p_<`gU?  
Ⅳ入射波激励（Incident Wave） .DHQJ|J-1  
其等相位面 `( _N9.>B  
与传播方向垂直；入射波照射到器件表面，和器件表面的夹角称为入射角。入射波激励常用于电磁散射问题，如雷达反射截面（RCS）的计算。 HFSS 最新版本允许用户分配 7 种不同类型的入射波激励，分别为 Plane Wave、Hertzian-Dipole Wave、Cylindrical Wave、GaussianBeam、Linear Antenna Wave、Far Field Wave 和 Near Field Wave。
hx8.  
Ⅴ电压源激励（Voltage Source） 6b\JD.r*{  
定义在两层导体之间的平面上，用理想电压源来表示该平面 u
nt{RVR%  
上的电场激励。定义电压源激励时，需要设置的参数有电压的幅度、相位和电场的方向。在使用电压源激励时，用户需要注意以下两点。 /.Jq]"   
（1）电压源激励所在的平面必须远小于工作波长，且平面上的电场是恒定电场。 )^m"fQ+  
（2）电压源激励是理想的源，没有内阻，因此后处理时不会输出 S 参数。 5-POYug  
Ⅵ电流源激励（Current Source） $tDM U3,W  
定义于导体表面或者导体表面的缝隙上，需要设定的参数有导 w/@ tH  
体表面/缝隙的电流幅度、相位和方向。在使用电流源激励时，用户也需要注意以下两点。 nTr{D&JS  
（1）电流源激励所在的平面/缝隙必须远小于工作波长，且平面/缝隙上的电流是恒定的。 iIc/%< ;  
（2）电流源激励是理想的源，没有内阻，因此后处理时不会输出 S 参数。 zG\:#,9  
Ⅶ磁偏置激励（Magnetic Bias） yo :63CPP  
当 HFSS 设计中使用到铁氧体材料时，需要通过设置磁偏置激励（Magnetic Bias…）来 -GYJ)f  
定义铁氧体材料网格的内部偏置场；该偏置场使铁氧体中的磁性偶极子规则排列，产生一个非零的磁矩。如果应用的偏置场是均匀的，张量坐标系可以通过旋转全局坐标系来设置；如果应用的偏置场 .. sv2XD}}  
0}WDB_L  

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二、求解设置 p+16*f9,^  
新建一个HFSS工程时，需要先设置求解类型 3W}qNY;J  
途径:菜单栏-HFSS-Soluntion Type HjZf3VwI  
1、模式驱动求解（ Modal） ^_k`@SU  
以模式为基础计算 S 参数，根据导波内各模式场的入射率和反射功率来计算 S 参数矩 +{WZpP},v  
阵的解。 mX GW+  
2、终端驱动求解（Terminal） "B*UZ.cC  
以终端为基础计算多导体传输线端口的 S 参数；此时，根据传输线终端的电压和电流来 60r0O5=|Fl  
计算 S 参数矩阵的解。 P7*?E*   
3．本征模求解类型（Eigenmode） -+kTw06_C  
本征模求解器主要用于谐振问题的设计分析，可以用于计算谐振结构的谐振频率和谐振 U,Th-
oU  
频率处对应的场分布，以及计算谐振腔体的无载 Q 值。 [9\Mf4lh#  
应用本征模求解时，需要注意以下几点。 /`g~lww2O  
（1）不需要设置激励方式。 yXBWu=w3`O  
（2）不能定义辐射边界条件。 [S?`OF12  
（3）不能进行扫频分析。 N\85fPSMG|  
（4）不能包含铁氧体材料。 Su*Pd;  
（5）只有场解结果，没有 S 参数求解结果 $"fO/8Ex  
4、v18中新增Transient和Characteristic Exciation wN:vI(C  
+q] kpkG!  

v18版本中新增的激励和求解类型只是自己尝试着设置一下，知道设置途径，但是不清楚具体的使用场景，所以没有写出来。因为本人的英语水平比较低，HELP中的讲解实在是……看花了眼。

下面是从论坛里找到别的同学关于求解器的帖子摘抄 nOq`Cwh9  
1、 HFSS频域求解器     KWH:tFL.  
HFSS 利用基于有限元算法的三维全波电磁场仿真求解器来计算器件的电磁特性。工程师可以通过使用HFSS来提取寄生参数（S、Y、Z）、可视化三维电磁场（近场 和远场），生成全波SPICE模型以有效的评估信号质量，包括传输路径损耗、阻抗失配引起的反射损耗、寄生耦合和辐射。     8P*wt'Q$  
1_5]3+r_U-  
      2、 HFSS时域瞬态求解器(HFSS Transient)     ?pkGejcQ  
        HFSS时域求解是基于间断伽略金法（discontinuous Galerkin method, DGTD）的三维全波电磁场仿真求解器，采用基于四面体有限元技术，能得到和HFSS频域求解器一样的自适应网格剖分精度，该技术使得HFSS的求精精度 成为电磁场行业标准。工程师可利用短脉冲激励对探地雷达、静电放电、电磁干扰和雷击等应用问题开展研究。其它的应用包括时域反射阻抗以及短时激励下的瞬态 场显示也可以借助它来完成。这项技术完善了HFSS的频域求解器技术，帮助工程师对更加深入详细了解其所设计器件的电磁性能。     M+Eg{^ q`  
Gr
!@ih^  
        3、积分方程求解器(HFSS-IE)      t`'5|  
        HFSS-IE是可选的附加求解器，采用矩量法对开区域的导体表面电流源以及介质体进行计算。HFSS-IE适用于对电大尺寸结构的辐射以及散射特性研 究。其集成于HFSS界面中，可与HFSS共享几何模型、材料以及某些关键的求解器技术。与HFSS一样，该求解器使用改良的自适应算法进行最适宜的网格 剖分，使用户对计算结果更加信任。该求解器采用自适应交叉近似（ACA）方法结合迭代矩阵求解来降低内存消耗和复杂的计算请求，使其可以求解超大规模的问 题。     H1hADn  
        用户可以在HFSS-IE中通过数据链接的方式将HFSS中的工程设计作为激励源。这样馈源可以在HFSS中创建，之后只需点击鼠标即可以将仿真的场结果 导入HFSS-IE的工程设计中去。作为一个选项功能，用户也可以将源仿真的馈源结构包含到HFSS-IE的设计模型中去，从而得到包含其散射特性的最终 结果。     U9x6\Iy  
        工程师可以结合HFSS建立一个联合工程，并选择最佳的求解器来仿真不同的待求问题，从而充分发挥各自求解器的优势。