[第五课]HFSS边界条件

任务一、HFSS中有多少种边界条件？ B^/Cx  
HFSS 中定义了多种边界条件类型，主要有理想导体边界条件（Perfect E）、理想磁边界 条件（Perfect H）、有限导体边界条件（Finite Conductivity）、辐射边界条件（Radiation）、对称边界条件（Symmetry）、阻抗边界条件（Impedance）、集总RLC 边界条件（Lumped RLC）、 无限地平面（Infinite Ground Plane）、主从边界条件（Master and Slave）、理想匹配层（PML） 和分层阻抗边界条件（Layered Impedance）。 ?5Z-w  
任务二、哪几种是常用的？ HW_2!t_R  
理想电边界（Perfect E）——Perfect E 是一种理想电导体或简称为理想导体。这种边界条件的电场（E-Field）垂直于表面。 zN9@.!?X2  
有两种边界被自动地赋值为理想电边界。 y#Nrq9r:  
1、 任何与背景相关联的物体表面将被自动地定义为理想电边界并且命名为 outer 的外部边界条件。 Q$'\_zV  
2、 任何材料被赋值为 PEC（理想电导体）的物体的表面被自动的赋值为理想电边界并命为 smetal 边界。 <MO40MP  
理想磁边界（Perfect H）——Perfect H 是一种理想的磁边界。边界面上的电场方向与表面相切。 K4NzI9@  
自然边界（Natural）——当理想电边界与理想磁边界出现交叠时，理想磁边界也被称为 Natural 边界 。理想磁边界与理想电边 /^{Q(R(X<  
界交叠的部分将去掉理想电边界特性，恢复所选择区域为它以前的原始材料特性。它不会影响任何材料的赋值。例如，可以用 .ozBa778u
 
它来模拟地平面上的同轴线馈源图案。 gBI?dw  
阻抗边界（Impedance）——一个用解析公式计算场行为和损耗的电阻性表面。表面的切向电场等于 Zs(n xHtan)。表面的阻 { ~{D(k  
抗等于 Rs + jXs。其中， xzMpTZQ  
Rs 是以 ohms/square 为单位的电阻 ZA_~o#0%  
Xs 是以 ohms/square 为单位的电抗 v{lDEF@2^N  
分层阻抗（Layered Impedance）边界——在结构中多层薄层可以模拟为阻抗表面。使用分层阻抗边界条件进一步的信息可以 A ?~4Pe  
在在线帮助中寻找。 b!SIs*  
集总 RLC（Lumped RLC）边界 ——一组并联的电阻、电感和电容组成的表面。这种仿真类似于阻抗边界，只是软件利用用 V#1v5mWVx  
户提供的 R 、L 和 C 值计算出以 ohms/square 为单位的阻抗值。 Y8s-cc(  
无限地平面（Infinite Ground Plane）——通常，地面可以看成是无限的、理想电壁、有限电导率或者是阻抗的边界条件。如 y&4im;X0  
果结构中使用了辐射边界，地面的作用是对远区场能量的屏蔽物，防止波穿过地平面传播。为了模拟无限大地平面的效果，在 jMR9E@>~E  
我们定义理想电边界、有限电导或阻抗边界条件时，在无限大地平面的框子内打勾。 /YwwG;1  
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辐射边界（Radiation）——辐射边界也被称为吸收边界。辐射边界使你能够模拟开放的表面。即，波能够朝着辐射边界的方向 e6jdSn  
辐射出去。系统在辐射边界处 .. NJ}xqg  
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