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[分享]氮化镓(GaN)在无线基站中的应用

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0楼发表于: 2018-01-18 16:26:54

用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。

氮化镓显而易见的技术优势（包括能源效率提高、带宽更宽、功率密度更大、体积更小）使之成为LDMOS的天然继承者服务于下一代基站，尤其是 1.8GHz以上的蜂窝频段。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高，但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化镓技术(MACOM GaN)使得二者成本结构趋于相当。

硅基氮化镓功率晶体管比LDMOS的效率优势可忽略不计，与碳化硅基氮化镓器件的效率优势无法比拟。

MACOM公司基于氮化镓的MAGb功率晶体管在 2.6GHz频段可提供高于70%的峰值效率以及19dB的线性增益，若匹配以合适的谐波阻抗其峰值效率会超过80%。该功率效率性能可与最优秀的碳化硅基氮化镓器件的效率相匹敌，与传统LDMOS器件相比有10%的效率提升。

若能被正确地应用，这个效率优势会帮助节省大量电费，并通过减小散热装置、供电模块(PSU)以及射频拉远单元(RRH)的整体尺寸，节省资本支出(CAPEX)，这将对营运商节省运营支出(OPEX)产生深远的影响。若平均电费为$0.1/KWh，仅将新的宏基站 ..

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