[正在讨论]微带天线表面开槽到底能不能起到延长流径的作用？

             设计了一个900MHz微带天线，因为安装环境限制只有75mm长，地板82mm.   R#DnV[!\  
              每次一开完槽，不论用十字一子，开在什么位置，长短，天线辐射增益gain都是下降。观察了下表面电流分布，似乎就是原先的正弦函数波峰被两个十字槽压平变均匀分布了一点。 ' cR||VX  
              现在怀疑很多文章上说的这种“开槽延长流径”的说法是在吹牛。电流的驻波还是按未开槽时分布的。我记得用腔摸法分析微带天线时都是先解除电场和磁场，再用边界条件求出表面电流。也许开槽后电场和磁场的分布几乎没多大影响，表面电流虽然在部分地方间断了但从数值上差的并不大，类似函数里的可去间断点。 M3!A?!BU  
           不知哪位前辈有用腔模法分析表面开槽的资料？网上能找到的文章一讲到开槽加载这款都是大同小异泛泛而谈。天线两端的电流和电位的驻波分布是否谐振在tm01或tm10也不得而知。[img]attachment/photo/Mon_1611/1141_32f91479893768976f2c613a501 .. IZoS2^:yw  
Tq,Kel  

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额，那你有没有发现开槽前的谐振极点_(通俗的说法就是S11的最佳点)，跟开槽后有没有不同?这是最能够说明开槽适当时，是会改变"电长度"的最佳证据。 kz1#"8Zd!  
又根据能量不灭的说法: )bR0>3/  
在特定的时间点: 一个排球里的气体总量是不变的，表面呈现圆球状而球体的正上方12点的位置(球形顶点)-表示为1.0，原地将排球施压使成椭圆形_球形顶点此时<1.0...但是9点与3点的位置却 >1.0。但是排球里的气体总量还是没变!! BW
vM~no  
不知道会不会牛头不对马嘴!?

的确是可以的。一般从S11看比较明显，匹配向低频点移动。不过方向图也会改变。你说的增益变低估计是最大点变低了，但整体提起来了。也就是天线的辐射变得更全向了。

从S11上看的比较明显，谐振频率偏向低频。 ?j!/Hc/b4  
开槽会降低辐射效率，而且，天线增益和电尺寸成正比，谐振频率变低，电尺寸变小，增益自然会下降

foxman:额，那你有没有发现开槽前的谐振极点_(通俗的说法就是S11的最佳点)，跟开槽后有没有不同?这是最能够说明开槽适当时，是会改变"电长度"的最佳证据。 2;ogkPv'  
又根据能量不灭的说法: ZoKXao  
在特定的时间点: 一个排球里的气体总量是不变的，表面呈现圆球状而球体的正上方12点的位置(球形 .. (2016-11-23 18:21)  Bd13p_V"6  

@F5QgO J&r  
             开槽对S11肯定有影响，但我这里的芯片用的是复阻抗不是标准50欧姆，  如果光为了匹配大可不用开槽而改用其它方式。 l) )Cvre+  
            关键是开槽对辐射增益的影响，目前弄下来似乎都是负面的。

bearss:从S11上看的比较明显，谐振频率偏向低频。 ghqq%g  
开槽会降低辐射效率，而且，天线增益和电尺寸成正比，谐振频率变低，电尺寸变小，增益自然会下降 (2016-11-24 09:09)  , 8F(R%v  

0V:PRq;v0  
         对，我这里要的就是增加辐射效率和辐射增益。 天线激励端口用的是复阻抗不是标准50欧姆，要调匹配还有很多办法。关键是就辐射效率，受制于体积限制比较低，未开槽时也就1dB不到，开了槽反而下降到-1，-2dB了。有没有什么其它加载法能提高增益的？

shadowhunter:的确是可以的。一般从S11看比较明显，匹配向低频点移动。不过方向图也会改变。你说的增益变低估计是最大点变低了，但整体提起来了。也就是天线的辐射变得更全向了。 (2016-11-23 22:04)  xui.63/  

^B|Q&1  
          这里最关键的是如何增加辐射增益，s11总归有办法弄匹配，本身这个天线的端口也不是50标准而是一个复阻抗。 我说的谐振也是辐射特性能谐振在TM01， TM10，而不是s11在900MHz达到谷底。

        非常感谢楼上三位前辈的回复，大家如果有用腔模理论分析各种加载法的资料可以分享一下：开槽（面板，地板），折叠，加载电容电感，...。 虽然这些概念都提到过但几乎没有哪篇论文能仔细计算分析，都是泛泛而谈。

<= xmJx-V  
    这是原始未开槽的效果，从数值上看似乎电场要比开槽后的强点。电流可能是长度不够的原因最大峰值还不是比带开槽的要低。 !?o661+b  
    长度不够1/2波长时，贴片的表面电流和电位驻波该是怎么个分布？

pak37:
             开槽对S11肯定有影响，但我这里的芯片用的是复阻抗不是标准50欧姆，  如果光为了匹配大可不用开槽而改用其它方式。 (H/JB\~r  
            关键是开槽对辐射增益的影响，目前弄下来似乎都是负面的。 RG [*:ReB9  

OOy]:t4 /  
谁给你的观念，跟标准50欧匹配才叫做匹配!? 那你是否知道空间中的辐射阻抗又是多少呢? 既然知道开槽-确定是会对辐射增益有影响，为何不质疑是开槽的方法和位置不对!?