[建模]周期结构中加入二极管等单向元件

需要建立一个带有二极管的期结构，结构很简单如下图所示： 9>&p:+D  

描述:加载二极管的圆环

图片:新建 Microsoft Visio 绘图.jpg

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环外径是15mm，结构为17mm*17mm，环宽1mm；加载二极管处缺口为2.45mm。 W
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应用频域仿真时，2013版会出现集总元件中只有串联和并联的RLC是有效的，不能加载二极管。在时域求解器中可以加二极管，现在的问题是： j~9Y0jz_  
1.使用时域求解器时设置成周期边界，会出现一个网格属性设置的问题，将Mesh type由默认改成FPBA错误会消失，仿真得出的结果感觉不太对，不知道是不是还有什么设置需要修改？ am| 81)|a  
2.应该选择什么样的激励？（我要设置的zmax和zmin端口极化不同，成45度夹角。） m|]"e@SF2  
3 .. 7<2^8`  
Zba<|C  

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看懂这篇 Application note 你就会理解，而且是真正的理解。(虽然它是E文，但有插图你可以用猜的 ***第5、9、10、12、13页是关键) oC3W_vH.%  
AN_Phase_Diagram.pdf (1232 K) 下载次数:33 u})8)  
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拥有资料不稀奇，能吸收才是重点!

图片:QQ截图20151023201627.jpg

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不知道楼主说的是不是这个

资料没看明白啊！

foxman:看懂这篇 Application note 你就会理解，而且是真正的理解。(虽然它是E文，但有插图你可以用猜的 ***第5、9、10、12、13页是关键) ^ G(GjW8  
[图片]
拥有资料不稀奇，能吸收才是重点! (2015-10-23 19:13) or
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感谢foxman的热心回复，这两种方法我都试过了。cst2013版中用unit cell+F的模式时，不能使用二极管元件，只能用等效的RLC模型，但是我需要的是二极管的单向性使环上电流能够单向流动。使用波导法时问题有2：一是极化的形式选择比较少，我需要一个端口是x和y两种极化，另一个端口分别与他们成45度角，再者用波导法不能看场分布只能看S参数；我也用了平面波法感觉结果不太对。 jB!Q8#&Q  
这个结构其实是根据两篇文献得到的，附文献如下：隔离器环形器 06410378.pdf (3091 K) 下载次数:16 有源结构 Faraday Rotation by Arti?cial Electric Gyrotropy.pdf (752 K) 下载次数:17 （文献比较长，大家看模型和场分布就好了） Z&R{jQ,  
问题有两个： :3Hr:~  
1）是文献1中如何用CST仿真带有FET的隔离器和环形器，特别是图14，是不是需要用设计实验室和微波实验室联合仿真； wWR9dsB.;  
2）文献2中的有源结构能不能用CST仿真一个无限大的模型，该怎么做呢？

liuyuheng:[图片] J1kG'cH05  
不知道楼主说的是不是这个 (2015-10-23 20:17)  $i&u\iL  

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这个我试过了，在unit cell+f中不能加入二极管，非常感谢帮忙

322004010020:资料没看明白啊！[表情] [表情]  (2015-10-25 10:56)  >lZ9Y{Y4v  

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资料是两种仿真周期结构的方法，波导法和floquet端口法，论坛上也有相关的贴子可以去学习一下哈。感谢交流

感谢楼主的交流