[求助]針對幾個匹配相關的問題想請教

目前透過HFSS做一CPWG結構的設計，目標是S11 0~20GHz -30dB以下 XGfzEld2"  
限制上是FR4板，厚度1.6，在20*20mm的空間中 DVI7]+=nV  
有幾個觀念上的問題想請教 *URdd,){i  
gnt45]@{  
1.CPWG結構可以想成一低通濾波器，因為等效應該是R並聯C，是否正確? lv4(4$T  
   ?6i;)eIOI  
1SW4Y  
2.在模擬結果中史密斯圖結果，常常是對中心成一個同心圓 pOm@b`S%  
    就是有些耦合過強，有些頻率耦合太弱，碰到這狀況該怎麼調整好? 8xgJSk  
'61i2\[lZQ  
3.VIA就所知等效電路是電容，但在模擬上感覺相當不明顯 F
V A
UR  
頂多因為增加回流路徑而讓S21滑順 9x=3W?K:,  
n)#Lh 7X"  
4.結構中含有一個SMA接頭，想請問SMA接頭訊號源貼上訊號線，是否可以看成高度變化 4O!E|/`wO  
    而產生額外電容效應，代表我 .. q7,^E`5EgU  
2FGx _Y  

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你的观念错得离谱! 只有第4勉强沾上一点边。 OeElMRU"  
如果FR4 可以使用在10GHz以上的环境? 那 Arlon、Taconic、Rogers、Isola...会哭晕在墙角。** 所谓的使用是适用、而非是堪用! f:woP7FP  
你得先有一部upto 20GHz的矢量网分、先学会看得懂Smith chart， 你其它的问题都會迎刃而解! @{d\j]Nw  

感謝回復，FR4這個是被限制住的，我當然也希望可以用更好的材質 Z4hLdHo_  
小弟又再看了看書，想想了，就觀念想繼續討論，懇請賜教 vl:J40Kfn  
\9:wfLF8!  
1.微帶線可以等效成R串連L，同是並聯C往地，CPWG也是吧? W5pb;74|  
   還是說想得太簡單了? GABQUmtH  
3[IJhR[  
YF[f
Z  
2.Smith chart在我看書時，有看到若以中心偏右是耦合量不足，偏左是耦合量過高 \we\0@v  
   但也看到了以中心的同心圓是反射係數，所以我這情況應該從讓反射係數變好下手 E(^0B(JF  
   也就是Z0=ZL，而CPWG可以想成平行電板所以ZL約等於對L/C開根號? |L
::bx(  
>#(n"RCHf  
3.VIA部分真的是完全不懂了 k<j"~S1  
$t/rOo9cV  
4.勉強沾上邊，難道我減少電容的想法是錯的? edvFQ#,d  
S%mfs!E>  

1. CPWG已经相当接近RF CABLE、之所以加上RF，是因为有了F_(频率)。 F#|:`$t  
严格说来是Xl、Xc - 感抗=(2*pi*freq*l)、容抗(1/ (2*pi*freq*c))，因此频率越高=感抗越大、 容抗越小，形成了低通效应。 KFa
_  
d&#~h:~  
2.Smith chart kh%{C]".1  
a: 圆心横切中心线，特性阻抗线 R、中心点=1，视阻抗决定50、75、300...? 微波取50欧、射频(<1000MHz)取75欧。 lC=~$c:  
向左=0.5、0.25......左底0.0 short，向右=2、5.....右底∞ open e[Abp~@M1  
b:上半圆共轭複数 R+Jω (电感性)、下半圆共轭複数 R-Jω (电容性)，其中ω=(2*pi*freq) !Ci~!)$z6  
c:上半圆电长180度(λ/2)、下半圆电长180度(λ/2)，也就是绕了一整圈!? 一个波长 λ。 ={hX}"*D  
6rS$yjTX!  
3.VIA部分 9:I6( Zv0  
它就是等效电感为R+L、也就是VIA多了导通性会变好，因为电感并联意同电阻并联。 wO2_DyMm@  
sl2@umR7%(  
4.勉強沾上邊 p _d:eZ  
SMA connector 视同一小段的高挡 RF Cable ( 它也是低通特性，绝对比FR4 CPWG的极点还要高!) erO>1 ,4S  
j[Uxa  
** 以上都是因为跟频率扯上关系_(匹配不只是特性阻抗、还有频点)，这就是我建议你看懂Smith chart的真正用意!! 剩下的...你再请教其它大神吧。 J<Pw+6B~