[建模]CST如何外加电压？

大神们！我我做的是超材料，我想在底层和顶层金属板上外加电压，看看对S参数的变化，请问应该如何操作，我之前也看了联合仿真，但是仿出来一直不对，请赐教！ X30tO>  

图片:QQ图片20150723162045.jpg

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7{m>W!  
加类似于这样的电压！ ojM'8z0Hn  
请 .. R-Edht|{  
^~~Rto)Y  

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我没做过，但你可以试一试。。 8gavcsVE[  

图片:R01.jpg

foxman:我没做过，但你可以试一试。。 Y!45Kio  
[图片] (2015-07-23 17:30)  x%`YV):*  

#w%-IhP  
这种电压型离散端口能直接得到S参数吗？得用Design Studio吧？

hefang:
这种电压型离散端口能直接得到S参数吗？得用Design Studio吧？ waX>0e  

 [=O/1T  
可以，但是...得用（偷鸡模式）。 K]/4qH$:  
得利用另两个端口（离散或是波导-需要和实际电路一般使用："直流隔离电容"），因为楼主只是想知道那两层被施加电压后，信道 In/out 之间的sparameter变化！ {l_{T4xToB  
而你所说的这种我昨天已经告诉他了！不知他为何又再提？看他这么坚持....所以我就给了他另一个途径。呵呵～～ NW~z&8L  
我昨天给它的是sparameter -> narrow band spice model (circuits synthesize) -> schematic simulation add Voltage -> sparameter。（这个作法跟ADS比较搭） WPZ?*Sx  
** 可能是因为我给的不是（直接解答），但是...我一般也是不会这么做的，我导引提问者自己去"动手做、动脑想"，这才是我想要的。 (npj_s!.C)  
不然，最终极的手法就是：能取得SiO2 Vs Voltage's 的参数组，以变数模式代入SiO2 layer。这样也成，不是条条大路通罗马吗？ 4v p  
_(J&aY\  

图片:R01.jpg

s &Dg8$  
W{z.?$SH  
d@w~[b  

foxman:我没做过，但你可以试一试。。 w3jO6*_ M  
[图片] (2015-07-23 17:30)  |7x\m t  

"`N-*;*W  
谢谢给了这么多方法，我之前用过离散端口（discrete port）施加电压，出错了，我再看看你说的（discrete edge port），简直不能再感谢！！！

hefang:这种电压型离散端口能直接得到S参数吗？得用Design Studio吧？ (2015-07-23 18:37)  Y".RPiTL  

NVRLrJWpp  
我试过Design Studio，可是没弄出来，继续琢磨中。。。 Q|@4bzi)  
还是感谢大神的关注！

181814233:谢谢给了这么多方法，我之前用过离散端口（discrete port）施加电压，出错了，我再看看你说的（discrete edge port），简直不能再感谢！！！ (2015-07-24 09:01)  Ub* wuI  

/Bm( `T  
刚看了，discrete port打开之后就是discrete edge port #Q`dku%V:  
然后出错了。。。

Graphene-supported tunable near-IR metamaterials.pdf (413 K) 下载次数:21 bq:(
u4 3  
这是参考文献，大家需要的可以看一下。

学习一下

请问楼主解决了嘛？