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[求教]RFIC中，基于MOS工艺的微带线怎样设计

UID ：90703

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0楼发表于: 2014-03-26 21:21:04

做分布式衰减器，其中应用到了传输线，基于CMOS工艺6层金属，想请教怎样设计一微带线使得特征阻抗50欧姆，电长度90度。
比较疑问的地方：
1）微带线尺寸怎样设计？
工艺中多层金属，而且多层介质介电常数不同，这个要怎么算？
选用接地平面，如果采用Si衬底，做电磁仿真时是怎么接地的？
2）由于中心频率在10G左右，做出的微带线应该还是比较 ..

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离线my_dream

UID ：44900

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1楼发表于: 2014-04-21 00:19:21

不知道你的问题解决没有
CMOS的Si衬底损耗比较大所以用底层金属做ground，一般要防止信号耦合到Si上面
这样的话就跟正常的PCB上微带线一样了

离线lckncqse

UID ：113006

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等级：禁止发言

2楼发表于: 2014-07-17 14:52:50

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