[工作讨论]新鲜出炉的面试题

b. 为什么介电常数变大，radiation quality factor会变大呢 (R,#a *CV  
我还是从fringing field的角度来理解这个问题的。当介电常数变大的时候，介质对电场的束缚能力越强，所以fringing field是会变小的。所以存储能量变多，辐射能量变小，于是radiation quality factor变大。

c. 介质板高度和介电常数对radiation efficiency的影响是什么呢？ 1Faf$J~7|  
radiation efficiency是辐射损耗比上（辐射损耗+介质损耗+导体损耗+表面波损耗） ~8Fk(E_  
我们考虑一种极端情况，即理想导体和无损介质 )gUR@V>e2  
->介质板高度增加的时候，辐射损耗增加，但同时表面波损耗也增加（这个地方总体不守恒，不知道对不对），所以辐射效率变小；  :A_@,Q  
->介质板介电常数变大，辐射损耗变小，表面波损耗增加，所以辐射效率还是变小的；

对于11楼的理解有一点需要说明的是。在Dr. K. F. Lee的microstrip patch antenna的4.10图中，显示Pr/Pt是随着高度增加而增加的；而在Dr. Banalis的书中14.27图中显示，efficiency是随高度增加而下降的。我的理解是前者是在没有考虑表面波的前提下得出的结论，所以是另外一个story，当然可能还有其它一些约束条件，这个还需再讨论下。同时上面的简化假设可能有点问题，如果试理想导体和无损介质的话，不知道还有米有表面波...........请高人出来指点下。

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2） 怎么小型化一个patch antenna,小型化以后方向性，带宽，efficiency等等会有什么变化； >-3>Rjo>  
最容易想到的小型化方法是将一个half-wavelength patch antenna变成一个quater-wvelength patch antenna, 通过短路掉一个辐射边。如下图所示 sC2
NFb-+&  
[attachment=62448] 
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下面这个表中是小型化前后的对比结果。假设介电常数是1.08。图的来源同样来自Dr Lee的书。 q; C6ID`  
[attachment=62449] 6/"#pe^  
这个结果我不是很能理解，因为一般来说体积越大，带宽越大。这个地方还请高人出来理解一下~还可以看到，随着h变大，quater-wavelength的频率偏移方向与half-wavelength的频率偏移方向是反着的.........这也是我不能理解的地方........ t2m7Yh5B  

下面这个表中是小型化以后测量到的增益值。可以看到：1） 总的来说相比half-wavelength patch而言，增益大约减半。这大概可以用aperture大小决定directivity来解释吧~~2）随着高度的增加，最大辐射方向逐渐偏移了normal direction。这个是可以理解的，毕竟结果不对称，h变大以后剩下的辐射边的fringing field变大了，应该最大方向是要偏移的。由此可以推测出小型化的x-pol是要变坏的，书中的测试结果的确显示如此。 ^),;`YXZ  
[attachment=62450] P0k.\8qz  
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其它的减小体积的方法有诸如partially shorted patch (PIFA), shorting pin之类的。等楼主找到好的图再回来补~~~总的来说，PIFA的缩小体积的原理在我理解来就是增加电流路径，partial shorting wall选择的位置不同，电流的路径长度也会不同。

5） 一个square patch antenna放置在xy平面，probe放置在x轴上，分别在x方向或者y方向加一个长方形slot，会有什么影响？ m=w #l>!  
第五题比较简单，而且也是电流路径长度的问题。假设probe放置在x轴上，patch上的电流方向是沿x轴的，所以在y方向加一个长方形slot，我觉得电流应该会绕过那个长方形slot，因此电流的路径会变成，所以谐振频率会降低。在x方向的slot，我个人觉得不会影响太大。不过这个问题也可以尝试从等效模型的角度去分析，也许也挺有意思的。 s1X?]A